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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Charge transfer and optical phonon mixing in few-layer graphene chemically doped with sulfuric acid 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 24, 页码: article no.245423 作者:  Tan PH 收藏  |  浏览/下载：80/9  |  提交时间：2011/07/05 RAMAN-SPECTROSCOPY  BILAYER GRAPHENE  GRAPHITE  SCATTERING  SPECTRA  CARBON  FILMS   Gap states of hydrogenated amorphous silicon near and above the threshold of microcrystallinity with subtle boron compensation 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 17, 页码: 2509-2511 Sheng SR; Liao XB; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：104/17  |  提交时间：2010/08/12 CONSTANT PHOTOCURRENT METHOD  A-SI-H  ABSORPTION  FILMS  SPECTROSCOPY  DEPOSITION  STABILITY  DILUTION   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si  epitaxial growth  surface reaction kinetics  UHV/CVD system  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  ATOMIC-HYDROGEN  ADSORPTION  SI(100)  SI2H6  SIH4  MECHANISMS  DESORPTION  PHASE  FILMS   Enhanced hydrogen desorption from Si sites during low-temperature Si1-xGex growth by disilane and solid-Ge molecular beam epitaxy 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6920-6922 Liu JP; Huang DD; Li JP; Lin YX; Sun DZ; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 GAS-SOURCE MBE  KINETICS  ADSORPTION  SILICON  SI(100)  MECHANISM  SI2H6  PHASE  FILMS   Using Fourier transform infrared grazing incidence reflectivity to study local vibrational modes in GaN 期刊论文 journal of applied physics, 1999, 卷号: 85, 期号: 9, 页码: 6430-6433 Sun WH; Chen KM; Yang ZJ; Li J; Tong YZ; Jin SX; Zhang GY; Zhang QL; Qin GG 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 RESONANT RAMAN-SCATTERING  HYDROGEN  CARBON  FILMS  GAAS  ABSORPTION  GROWTH   Optical properties of nanocrystalline silicon embedded in SiO2 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 1999, 卷号: 42, 期号: 9, 页码: 995-1002 Ma ZX; Liao XB; Kong GL; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2010/08/12 nanocrystalline silicon  quantum confinement effect  Raman spectra  absorption spectra  photoluminescence  RAMAN-SPECTRA  ABSORPTION  FILMS  LUMINESCENCE  PHOTOLUMINESCENCE  MECHANISM  POROUS SILICON