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InAlN薄膜MOCVD外延生长研究 期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 609-613
作者:  刘乃鑫;  闫建昌;  魏同波;  贠利君
收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2012/07/17
采用低温缓冲层技术在Si衬底上生长高质量Ge薄膜 期刊论文
光电子·激光, 2011, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 1030-1033
周志文; 贺敬凯; 李成; 余金中
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/07/17
InAs单晶衬底的表面形貌和化学成分分析 期刊论文
人工晶体学报, 2010, 卷号: 39, 期号: 4, 页码: 878-882
作者:  王俊;  王俊
收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2011/08/16
Si衬底上Ge材料的UHVCVD生长 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 118-120
作者:  薛海韵;  成步文;  薛春来
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23
Si_(0.75)Ge_(0.25)虚衬底上应变补偿Si/Si_(0.62)Ge_(0.38)量子阱发光 期刊论文
材料科学与工程学报, 2009, 卷号: 27, 期号: 1, 页码: 146-149
廖凌宏; 周志文; 李成; 陈松岩; 赖虹凯; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2010/11/23
UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 315-318
周志文; 蔡志猛; 张永; 蔡坤煌; 周笔; 林桂江; 汪建元; 李成; 赖虹凯; 陈松岩; 余金中; 王启明
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响 期刊论文
功能材料, 2008, 卷号: 39, 期号: 10, 页码: 1605-1607
作者:  牛智川
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/11/23
采用单步光刻和湿法腐蚀工艺制作高性能衍射微透镜 期刊论文
半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1625-1629
作者:  季安
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23
Investigation of a chemically treated InP(100) surface during hydrophilic wafer bonding process 期刊论文
materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2006, 卷号: 128, 期号: 1-3, 页码: 93-97
作者:  Yu LJ
收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/04/11
蓝宝石衬底上单晶InAlGaN外延膜的RF-MBE生长 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1382-1385
作者:  王晓燕;  肖红领;  王保柱
收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23

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