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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Jun Wang;  Xi Jiang;  Zongjian Li;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/12/13 MOSFET  Silicon carbide  Logic gates  Insulated gate bipolar transistors  Switches  Leakage currents  Silicon  Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) $\scriptscriptstyle{\text{MOSFET}}$   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Wang, Jun;  Li, Zongjian;  Jiang, Xi;  Zeng, Cheng;  Shen, Z. John 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/13 Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Wang, J;  Jiang, X;  Li, ZJ;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/17 Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Jun Wang;  Zongjian Li;  Xi Jiang;  Cheng Zeng;  Z. John Shen 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/13 Switches  Insulated  gate  bipolar  transistors  Silicon  carbide  MOSFET  Logic  gates  Silicon  Gate  control  hybrid  switch  IGBT  junction  temperature  mosfet  power  loss  SiC   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.2, 页码: 1744-1754 作者:  Wang, J;  Li, ZJ;  Jiang, X;  Zeng, C;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/17 Gate control  hybrid switch  IGBT  junction temperature  MOSFET  power loss  SiC   Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.34 No.3, 页码: 2771-2780 作者:  Wang, J;  Jiang, X;  Li, ZJ;  Shen, ZJ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 Failure analysis  gate control  hybrid switch (HyS)  IGBT  short-circuit (SC)  Silicon Carbide (SiC) MOSFET   Gate Control Optimization of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance and Power Loss Reduction 期刊论文 IEEE Transactions on Power Electronics, 2018, 页码: 1 作者:  Jun Wang;  Zongjian Li 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/26 Switches  Insulated  gate  bipolar  transistors  Silicon  carbide  MOSFET  Logic  gates  Silicon  Hybrid  switch  SiC  MOSFET  IGBT  gate  control  power  loss  junction  temperature   Design optimisation of self-powered gate driver for ultra-fast DC solid-state circuit breakers using SiC JFETs 期刊论文 IET POWER ELECTRONICS, 2017, 卷号: Vol.10 No.15, 页码: 2149-2156 作者:  He, Dong;  Xiong, Zhijie;  Lei, Zhiqi;  Shuai, Zhikang;  Shen, Zheng John 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/31 silicon  compounds  wide  band  gap  semiconductors  circuit  breakers  junction  gate  field  effect  transistors  driver  circuits  DC-DC  power  convertors  power  distribution  protection  self-powered  gate  driver  ultra-fast  DC  solid-state  circuit  breakers  silicon  carbide  SiC  junction  gate  field-effect  transistor  JFET  DC  distribution  protection  self-powered  SSCB  solid-state  switch  optimised  gate  drivers  optimised  fault  detection  circuit  forward-flyback  DC-DC  converter  SSCB  gate  driver  fault  isolation  gate  driver  circuit  parameters  effect  protection  speed  Matlab  calculation  dynamic  response  voltage  400  V  SiC