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	Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch
	Wang, J; Jiang, X; Li, ZJ; Shen, ZJ
刊名	IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS
	2019
卷号	Vol.34 No.3页码:2771-2780
关键词	Failure analysis gate control hybrid switch (HyS) IGBT short-circuit (SC) Silicon Carbide (SiC) MOSFET
ISSN号	0885-8993
URL标识	查看原文
公开日期	[db:dc_date_available]
内容类型	期刊论文
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/4738325
专题	湖南大学
作者单位	Hunan Univ, Coll Elect & Informat Engn, Changsha 410082, Hunan, Peoples R China
推荐引用方式 GB/T 7714	Wang, J,Jiang, X,Li, ZJ,et al. Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch[J]. IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS,2019,Vol.34 No.3:2771-2780.
APA	Wang, J,Jiang, X,Li, ZJ,&Shen, ZJ.(2019).Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch.IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS,Vol.34 No.3,2771-2780.
MLA	Wang, J,et al."Short-Circuit Ruggedness and Failure Mechanisms of Si/SiC Hybrid Switch".IEEE TRANSACTIONS ON POWER ELECTRONICS Vol.34 No.3(2019):2771-2780.

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