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科研机构
微电子研究所 [13]
内容类型
期刊论文 [13]
发表日期
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2007 [1]
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2005 [1]
2004 [5]
2003 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:微电子研究所
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T形栅In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 4,2331-2334
作者:
黎明
;
张海英
;
徐静波
;
付晓君
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/05/27
Mhemt
Inalas/ingaas 功率特性
T型栅
功率器件
截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管
期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4,1898-1901
作者:
金智
;
程伟
;
刘新宇
;
徐安怀
;
齐鸣
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/05/27
Inp
异质结构双极晶体管
平坦化
高频
发射极空气桥 InGaP/GaAsHBT的DC和RF特性分析
期刊论文
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,1_4
作者:
吴德馨
;
申华军
;
葛霁
;
杨威
;
陈延湖
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas发射极空气桥互连
高性能1mmSiC基AIGaN/GaN功率HEMT研制
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983
作者:
王晓亮
;
罗卫军
;
陈晓娟
;
李成瞻
;
刘新宇
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan
高电子迁移率晶体管
微波功率
功率增益
0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1508-1513
作者:
王晗
;
叶青
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/05/26
基准源
超低电压
自偏置
稳定性
环路增益
返回比
提高SOI器件和电路性能的研究
期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 322-327
作者:
韩郑生
;
海潮和
;
周小茵
;
赵立新
;
李多力
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/05/26
Soi
浮体效应
沟道
抗辐照
高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制
期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4,88-91
作者:
邵刚
;
刘新宇
;
和致经
;
刘键
;
魏珂
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan Hemt
微波功率
单位截止频率
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 446-449
作者:
袁志鹏
;
刘训春
;
孙海峰
;
石瑞英
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/05/26
Ingap/gaas
Hbt晶向效应
直流电流增益
截止频率
压电效应
侧向腐蚀
新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性
期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 316-320
作者:
石瑞英
;
孙海锋
;
袁志鹏
;
刘训春
;
王润梅
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/05/26
电子运动速度过冲
复合收集区
异质结双极晶体管
直流和射频特性
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制
期刊论文
电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 381-384
作者:
吴德馨
;
陈晓娟
;
邵刚
;
刘新宇
;
和致经
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2010/05/26
Algan/gan
Hemt
微波功率
单位截止频率
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