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T形栅In0.52Al0.48As/In0.6Ga0.4As MHEMTs功率器件 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 12, 页码: 4,2331-2334
作者:  黎明;  张海英;  徐静波;  付晓君
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截止频率为238GHz的亚微米InGaAs/InP异质结双极晶体管 期刊论文
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 10, 页码: 4,1898-1901
作者:  金智;  程伟;  刘新宇;  徐安怀;  齐鸣
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发射极空气桥 InGaP/GaAsHBT的DC和RF特性分析 期刊论文
电 子 器 件, 2007, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 4,1_4
作者:  吴德馨;  申华军;  葛霁;  杨威;  陈延湖
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高性能1mmSiC基AIGaN/GaN功率HEMT研制 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 11, 页码: 1981-1983
作者:  王晓亮;  罗卫军;  陈晓娟;  李成瞻;  刘新宇
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0.6V电源电压的CMOS基准源设计及稳定性分析 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 8, 页码: 1508-1513
作者:  王晗;  叶青
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2010/05/26
提高SOI器件和电路性能的研究 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 增刊, 页码: 322-327
作者:  韩郑生;  海潮和;  周小茵;  赵立新;  李多力
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高性能1mm AlGaN/GaN功率HEMTs研制 期刊论文
半导体学报, 2005, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: 4,88-91
作者:  邵刚;  刘新宇;  和致经;  刘键;  魏珂
收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2010/05/26
晶向对InGaP/GaAs HBT性能的影响 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 446-449
作者:  袁志鹏;  刘训春;  孙海峰;  石瑞英
收藏  |  浏览/下载:6/0  |  提交时间:2010/05/26
新结构复合收集区InGaP/GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性 期刊论文
半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 3, 页码: 316-320
作者:  石瑞英;  孙海锋;  袁志鹏;  刘训春;  王润梅
收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2010/05/26
蓝宝石衬底AlGaN/GaN功率HEMTs研制 期刊论文
电子器件, 2004, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 381-384
作者:  吴德馨;  陈晓娟;  邵刚;  刘新宇;  和致经
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