新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性

	新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性
	石瑞英; 孙海锋; 袁志鹏; 刘训春; 王润梅
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:3 页码:316-320
关键词	电子运动速度过冲复合收集区异质结双极晶体管直流和射频特性
ISSN号	0253-4177
产权排序	2
英文摘要	利用电子运动速度过冲现象，设计出了一种新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管．这种结构不仅提高了器件的截止频率，而且降低了影响器件直流性能的补偿电压．所制备器件的截止频率达到77GHz，直流电流增益高达100，补偿电压低至70mV．同时，把所制备器件的微波和直流特性与已发表的文献进行了比较，充分显示了这种结构的优越性．
公开日期	2010-05-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/1066]
专题	微电子研究所_回溯数据库（1992-2008年）
推荐引用方式 GB/T 7714	石瑞英,孙海锋,袁志鹏,等. 新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性[J]. 半导体学报,2004,25(3):316-320.
APA	石瑞英,孙海锋,袁志鹏,刘训春,&王润梅.(2004).新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性.半导体学报,25(3),316-320.
MLA	石瑞英,et al."新结构复合收集区InGaP／GaAs异质结双极晶体管结构设计及特性".半导体学报 25.3(2004):316-320.