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新疆理化技术研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
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2020 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:新疆理化技术研究所
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80
85
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质子辐照对RADFETs的γ辐照剂量响应的影响研究
期刊论文
核技术, 2022, 卷号: 45, 期号: 1, 页码: 39-45
作者:
马函1,2
;
孙静1
;
何承发1
;
荀明珠1
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浏览/下载:33/0
  |  
提交时间:2022/01/25
RADFETs
质子辐照
γ剂量标定
陷阱电荷分离
电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
期刊论文
数值计算与计算机应用, 2020, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: 143-150
作者:
魏莹
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
收藏
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2020/09/07
CMOS图像传感器
电离总剂量辐射效应
TCAD仿真
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2019/11/18
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
γ辐照导致中波碲镉汞光伏器件暗电流退化的机理研究
期刊论文
红外与激光工程, 2019, 卷号: 48, 期号: 9, 页码: 192-199
作者:
王志铭
;
周东
;
郭旗
;
李豫东
;
文林
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2020/03/19
碲镉汞(HgCdTe)光伏器件
红外探测器
辐射效应
γ射线
暗电流
电荷耦合器件的γ辐照剂量率效应研究
期刊论文
发光学报, 2016, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 711-719
作者:
武大猷
;
文林
;
汪朝敏
;
何承发
;
郭旗
;
李豫东
;
曾俊哲
;
汪波
;
刘元
;
郭旗
;
何承发
;
李豫东
收藏
  |  
浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2016/12/03
电荷耦合器件
暗信号
低剂量率损伤增强效应
暗场像素统计
电离辐射对部分耗尽绝缘体上硅器件低频噪声特性的影响
期刊论文
物理学报, 2015, 卷号: 64, 期号: 7, 页码: 393-398
作者:
刘远
;
陈海波
;
何玉娟
;
王信
;
岳龙
收藏
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浏览/下载:26/0
  |  
提交时间:2015/06/26
绝缘体上硅
部分耗尽
电离辐射
低频噪声
质子、中子、60Co-γ射线辐照对电荷耦合器件饱和输出电压的影响
期刊论文
红外与激光工程, 2015, 卷号: 44, 期号: S1, 页码: 35-40
作者:
汪波
;
文林
;
李豫东
;
郭旗
;
汪朝敏
;
王帆
;
任迪远
;
曾骏哲
;
武大猷
;
郭旗
;
李豫东
收藏
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浏览/下载:74/0
  |  
提交时间:2016/06/02
电荷耦合器件
高能粒子辐照
饱和输出电压
电离总剂量效应
配合物[Fe2(μ2-OH)(tpmc)](ClO4)3·EtOH的合成及其晶体结构
期刊论文
合成化学, 2012, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 724-727
作者:
王宏图
;
刘波
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浏览/下载:17/0
  |  
提交时间:2013/11/07
N,N',N'',N'''-四(2-吡啶甲基)-1,4,8,11-四氮杂环十四烷
双核配合物
mu_2-OH氧桥
合成
晶体结构
不同型号的星用Power MOSFET的辐射响应特性
期刊论文
核电子学与探测技术, 2007, 卷号: 27, 期号: 2, 页码: 347-349,334
作者:
刘刚
;
余学锋
;
任迪远
;
牛振红
;
高嵩
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/11/29
PowerMOSFET
阈值电压
总剂量辐射
击穿电压
应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
期刊论文
辐射研究与辐射工艺学报, 2006, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 201-204
作者:
刘刚
;
余学锋
;
任迪远
;
牛振红
;
高嵩
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2012/11/29
金属氧化物半导体场效应功率管
辐射响应
退火特性
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