电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真

CORC > 新疆理化技术研究所 > 中国科学院新疆理化技术研究所 > 固体辐射物理研究室

	电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真
	魏莹; 文林; 李豫东; 郭旗
刊名	数值计算与计算机应用
	2020
卷号	41 期号:2 页码:143-150
关键词	CMOS图像传感器电离总剂量辐射效应 TCAD仿真
ISSN号	1000-3266
英文摘要	CMOS图像传感器是空间光学成像系统中的关键电子器件,但受到空间总剂量辐射效应影响其特性发生退化,特别是暗电流显著增大.本文利用TCAD仿真工具构建了4T CMOS图像传感器像素单元的二维仿真结构,利用总剂量效应模型计算了器件氧化层中辐射诱导氧化物陷阱电荷和界面态在不同累积剂量下的分布,并计算了器件暗电流随累积剂量的变化,以及传输栅对辐照暗电流的影响.通过分析辐照前后器件内部耗尽区的变化,以及传输栅偏置电压对器件电势分布的影响,获得了器件暗电流总剂量效应损伤机制.本文中电离总剂量效应的数值仿真方法和图像传感器暗电流损伤机制的分析可为评估器件抗辐射能力和设计加固提供技术支撑和指导.
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/7384]
专题	固体辐射物理研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	魏莹,文林,李豫东,等. 电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真[J]. 数值计算与计算机应用,2020,41(2):143-150.
APA	魏莹,文林,李豫东,&郭旗.(2020).电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真.数值计算与计算机应用,41(2),143-150.
MLA	魏莹,et al."电离总剂量效应对4T CMOS图像传感器暗电流影响的数值仿真".数值计算与计算机应用 41.2(2020):143-150.