应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性

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	应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性
	刘刚; 余学锋; 任迪远; 牛振红; 高嵩
刊名	辐射研究与辐射工艺学报
	2006
卷号	24 期号:4 页码:201-204
关键词	金属氧化物半导体场效应功率管辐射响应退火特性
ISSN号	1000-3436
其他题名	radiation effects and annealing of power mosfet for space applications
中文摘要	为给金属氧化物半导体场效应功率管(PowerMOSFET)在航天系统中的应用提供辐照数据基础和依据。用60Co源对将应用于空间系统的两种PowerMOSFET进行了不同总剂量的辐照实验。从微观氧化物陷阱电荷和界面态的辐射感生角度,分析了PowerMOSFET器件在60Coγ射线辐射下的总剂量和剂量率效应以及辐照后70℃退火特性。试验表明与N沟道PowerMOSFET相比,P沟道PowerMOSFET可能更适合空间应用。
公开日期	2012-11-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.xjipc.cas.cn/handle/365002/1948]
专题	新疆理化技术研究所_材料物理与化学研究室
作者单位	中国科学院新疆理化技术研究所；中国科学院研究生院
推荐引用方式 GB/T 7714	刘刚,余学锋,任迪远,等. 应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性[J]. 辐射研究与辐射工艺学报,2006,24(4):201-204.
APA	刘刚,余学锋,任迪远,牛振红,&高嵩.(2006).应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性.辐射研究与辐射工艺学报,24(4),201-204.
MLA	刘刚,et al."应用于空间系统的Power MOSFET辐射响应特性".辐射研究与辐射工艺学报 24.4(2006):201-204.