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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 内容类型：期刊论文    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 TCAD Simulation for nonresonant terahertz detector based on double-channel GaN/AlGaN high-electron-mobility transistor 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 页码: 4807-4813 作者:  Meng, Qingzhi;  Lin, Qijing;  Jing, Weixuan;  Han, Feng;  Zhao, Man 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/11/19 Computational model  Double channel  High electron mobility transistor (HEMT)  Noise equivalent power  Nonresonant  Photoresponses  Responsivity  Terahertz detectors   Numerical Simulation of Bias Effect on Dose Rate Effect of SiGe Heterojunction Bipolar Transistor 期刊论文 Yuanzineng Kexue Jishu/Atomic Energy Science and Technology, 2017, 卷号: 51, 页码: 549-554 作者:  Ma, Ting;  Zhang, Jin-Xin;  He, Chao-Hui;  Tang, Du;  Li, Pei 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/11/26 Bias effects  Different biases  Dose-rate effects  Reverse bias  SiGe heterojunction bipolar transistor  TCAD software  Three-dimensional numerical simulations  Transient current   Single-event response of the SiGe HBT in TCAD simulations and laser microbeam experiment 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: [db:dc_citation_issue] 作者:  Li Pei;  Guo Hong-Xia;  Guo Qi;  Zhang Jin-Xin;  Xiao Yao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 laser microbeam experiment  SiGe heterojunction bipolar transistor  single event effect  three-dimensional numerical simulation