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科研机构
西安交通大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2000 [1]
1992 [1]
1991 [1]
1990 [1]
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内容类型:期刊论文
专题:西安交通大学
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BF+2注入硅栅p沟MOS场效应晶体管辐射感生界面陷阱测量
期刊论文
原子能科学技术, 2000, 期号: 4, 页码: 350-354
作者:
张正选
;
罗晋生
;
袁仁峰
;
张廷庆
;
姜景和
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提交时间:2020/01/07
硅栅PMOSFET
二氟化硼
辐射感生界面陷阱
高频全集成MOSFET-C THOMAS-TOW滤波器的极点分析
期刊论文
西安交通大学学报, 1992, 期号: 5, 页码: 89-96
作者:
巫志媛
;
邱关源
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提交时间:2020/01/07
高频率
极点分析
MOS场效应晶体管
集成滤波器
VDMOS器件二维数值模拟和典型参数优化分析
期刊论文
电子科学学刊, 1991, 期号: 6, 页码: 618-624
作者:
刘晓梅
;
胡蓉香
;
罗晋生
;
李中江
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提交时间:2020/01/07
击穿
功率晶体管
数值模拟
MOS场效应晶体管
集成MOSFET跨导结构非线性的谐波分析法
期刊论文
西安交通大学学报, 1990, 期号: 2, 页码: 99-110
作者:
巫志媛
;
邱关源
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提交时间:2020/01/08
MOS 场效应晶体管
非线性集成电路
集成滤波器
谐波失真
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