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Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory 外文期刊
2009
作者:  Liu, M;  Li, YT;  Zhang, S;  Liu, Q;  Long, SB
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Resistive switching characteristics of MnOx-based ReRAM 外文期刊
2009
作者:  Liu, M;  Zhang, S;  Guan, WH;  Liu, Q;  Wang, Q
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Multilevel resistive switching with ionic and metallic filaments 外文期刊
2009
作者:  Liu, M;  Abid, Z;  Wang, W;  Liu, Q;  Guan, WH
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Charge storage characteristics of metal-induced nanocrystalline in erbium-doped amorphous silicon films 外文期刊
2008
作者:  Li, ZG;  Guan, WH;  Liu, M;  Long, SB;  Jia, R
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Memory  Oxide  Fabrication  Er  
Nonpolar nonvolatile resistive switching in Cu doped ZrO2 外文期刊
2008
作者:  Guan, WH;  Long, SB;  Liu, Q;  Liu, M;  Wang, W
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Nonvolatile resistive switching memory utilizing gold nanocrystals embedded in zirconium oxide 外文期刊
2007
作者:  Guan, WH;  Long, SB;  Jia, R;  Liu, M
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Deposition of high-quality zinc oxide thin films on diamond substrates for high-frequency surface acoustic wave filter applications 外文期刊
2005
作者:  Chen, JJ;  Zeng, F;  Li, DM;  Niu, JB;  Pan, F
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DEPOSITION OF GALLIUM OXIDE AND INDIUM OXIDE ON GAAS FOR IN-SITU PROCESS USE BY ALTERNATING SUPPLY OF TEGA, TMIN, AND H2O2 AS SURGE PULSES 外文期刊
1994
作者:  OZASA, K;  YE, TC;  AOYAGI, Y
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COMPOSITION CHANGE OF INDIUM OXIDE FILM BY TRIETHYLGALLIUM IRRADIATION PREPARED FOR IN-SITU SELECTIVE EPITAXY USE 外文期刊
1993
作者:  OZASA, K;  YE, TC;  AOYAGI, Y
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THIN GALLIUM OXIDE FILM DEPOSITED IN VACUUM FOR INSITU PROCESS USE 外文期刊
1993
作者:  AOYAGI, Y;  OZASA, K;  YE, T
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