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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用 其他 2009-01-01 许铭真; 谭长华; 段小蓉 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/12 软击穿 微分电导 缺陷带 缺陷能级 超薄栅氧化层 金属氧化物半导体   超薄SiO2的软击穿到硬击穿的电流突发性转变 其他 2007-01-01 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/12 二氧化硅薄膜 电学性能 击穿效应 模拟分析   超薄SiO2软击穿后I-V特性的饱和性质研究 其他 2005-01-01 许铭真; 谭长华; 段小蓉; 何燕冬 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 超薄SiO2  软击穿  栅电流  饱和性质  I-V特性  电子速度饱和  比例差值方法   关于SiO2软击穿后电流路径的微观几何结构的研究 其他 2005-01-01 谭长华; 许铭真 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/11 SiO2  软击穿  电流路径  微观几何结构   3.4nm超薄SiO2栅介质的特性 其他 2001-01-01 许晓燕; 谭静荣; 高文钰; 黄如; 田大宇; 张兴 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/10/23 软击穿  硼扩散  性能影响  栅介质  MOS器件  SiO&  lt  ,2&  gt  amp  amp   硅衬底注氮方法制备4.4nm SiO2栅介质及其特性 其他 2001-01-01 许晓燕; 谭静荣; 黄如; 张兴; 田大宇; 张录 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 超薄栅介质  氮离子注入  软击穿  击穿场强  硅衬底