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科研机构
兰州大学 [2]
内容类型
会议论文 [2]
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2011 [2]
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atomic and... [1]
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Thermal stability of Cu/Si (111) films prepared by ionized cluster beam technique
会议论文
2011 International Conference on Advanced Engineering Materials and Technology, AEMT 2011, Sanya, China, July 29, 2011 - July 31, 2011
作者:
Cao, Bo
;
Jia, Yanhui
;
Li, Gongping
;
Cho, Seong Jin
;
Kim, Hee
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提交时间:2017/01/20
Film preparation
Annealing
Backscattering
Copper
Diffraction
Diffusion
Ionization
Ions
Metallic films
Rutherford backscattering spectroscopy
Silicides
Silicon
Spectrometry
Thermodynamic stability
X ray diffraction
Annealing temperatures
Atomic diffusions
Cu films
Interface reaction
Interface reactions
Ionized cluster beam (ICB)
Ionized cluster beams
P-type Si
Rutherford backscattering spectrometry
Rutherford backscattering spectrometry (RBS)
Si atoms
Si substrates
Thermally stable
X-ray diffraction (XRD)
XRD
The diffusion and interfacial reaction of Cu/Si(100) systems
会议论文
International Conference on Advanced Engineering Materials and Technology (AEMT2011)International Conference on Civil Engineering and Building Materials (CEBM 2011), Sanya, PEOPLES R CHINAKunming, PEOPLES R CHINA, JUL 29-31, 2011JUL 29-31, 2011
作者:
Gao, XX
;
Jia, YH
;
Li, GP
;
Ma, JP
;
Wang, YB
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提交时间:2017/01/20
Diffusion
Interface reaction
Annealing
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