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InGaN diode-laser pumped II-VI semiconductor lasers 专利
专利号: US7136408, 申请日期: 2006-11-14, 公开日期: 2006-11-14
作者:  SPINELLI, LUIS A.;  ZHOU, HAILONG;  AUSTIN, R. RUSSEL
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Semitransparent optical detector including a polycrystalline layer and method of making 专利
专利号: US6879014, 申请日期: 2005-04-12, 公开日期: 2005-04-12
作者:  WAGNER, SIGURD;  WAGNER, MATTHIAS;  MA, EUGENE Y.;  PAYNE, ADAM M.
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Semitransparent optical detector on a flexible substrate and method of making 专利
专利号: US6670599, 申请日期: 2003-12-30, 公开日期: 2003-12-30
作者:  WAGNER, SIGURD;  WAGNER, MATTHIAS;  MA, EUGENE Y.;  PAYNE, ADAM M.
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Optical semiconductor element 专利
专利号: US6057561, 申请日期: 2000-05-02, 公开日期: 2000-05-02
作者:  KAWASAKI, MASASHI;  KOINUMA, HIDEOMI;  OHTOMO, AKIRA;  SEGAWA, YUSABURO;  YASUDA, TAKASHI
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Integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same 专利
专利号: US5818072, 申请日期: 1998-10-06, 公开日期: 1998-10-06
作者:  SCHETZINA, JAN FREDERICK
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Method for producing a group II-VI compound semiconductor thin film and a group II-VI compound semiconductor device 专利
专利号: US5508522, 申请日期: 1996-04-16, 公开日期: 1996-04-16
作者:  NAKANISHI, KENJI;  KITAGAWA, MASAHIKO;  TOMOMURA, YOSHITAKA;  HIRATA, SHINYA
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半導体レ-ザの製造方法 专利
专利号: JP1996031651B2, 申请日期: 1996-03-27, 公开日期: 1996-03-27
作者:  岩野 英明
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Method of manufacturing a group II-VI compound semiconductor 专利
专利号: GB2280309A, 申请日期: 1995-01-25, 公开日期: 1995-01-25
作者:  KENJI, SHIMOYAMA;  TOSHINARI, FUJIMORI;  HIDEKI, GOTO
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Inverted integrated heterostructure of group II-VI semiconductor materials including epitaxial ohmic contact and method of fabricating same 专利
专利号: US5351255, 申请日期: 1994-09-27, 公开日期: 1994-09-27
作者:  SCHETZINA, JAN F.
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Method for making an ohmic contact for p-type group II-VI compound semiconductors 专利
专利号: US5213998, 申请日期: 1993-05-25, 公开日期: 1993-05-25
作者:  QIU, JUN;  CHENG, HWA;  HAASE, MICHAEL A.;  DEPUYDT, JAMES M.
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