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| 一种具有位错折断结构的GaN基激光器外延结构及其生长方法 专利
专利号: CN108808446A, 申请日期: 2018-11-13, 公开日期: 2018-11-13
作者: 邵慧慧; 徐现刚; 开北超; 李沛旭; 郑兆河
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| 一种Si基大功率激光器及其制备方法 专利
专利号: CN106207752A, 申请日期: 2016-12-07, 公开日期: 2016-12-07
作者: 李亮; 刘应军; 岳爱文; 王任凡
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| 第III族氮化物半导体外延基板和第III族氮化物半导体发光元件以及它们的制造方法 专利
专利号: CN105493241A, 申请日期: 2016-04-13, 公开日期: 2016-04-13
作者: 岩田雅年; 大鹿嘉和
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| Si/Ge超晶格量子级联激光器及其制备方法 专利
专利号: CN105429001A, 申请日期: 2016-03-23, 公开日期: 2016-03-23
作者: 舒斌; 吴继宝; 古牧; 范林西; 陈景明
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| 一种GaN基激光器和相应制造方法 专利
专利号: CN105356297A, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2016-02-24
作者: 李亮; 刘应军; 汤宝; 王任凡
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| 一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者: 刘学超; 杨建华; 施尔畏
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