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Ultra long lifetime gallium arsenide 专利
专利号: US9704706, 申请日期: 2017-07-11, 公开日期: 2017-07-11
作者:  SCHUNEMANN, PETER G.;  ZAWILSKI, KEVIN T.
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含β-H的仲胺基金属有机化合物及其制备和应用 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201310676206.1, 申请日期: 2015-11-01, 公开日期: 2015-06-17
作者:  陈萍;  陈君儿;  熊智涛;  吴国涛;  刘彬
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Star-branched rare-earth epichlorohydrin rubber has specified average molecular weight, and comprises rare-earth neodymium carboxylate, neodymium phosphonate and/or alkoxy neodymium, alkylaluminum hydride, and alcohol. 专利
申请日期: 2015-01-01, 公开日期: 2015-09-09
作者:  GUO F LI Y LI T MA H NIU H WANG Y
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Method of forming a group III-nitride crystalline film on a patterned substrate by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 专利
专利号: US8507304, 申请日期: 2013-08-13, 公开日期: 2013-08-13
作者:  KRYLIOUK, OLGA;  MELNIK, YURIY;  KOJIRI, HIDEHIRO;  ISHIKAWA, TETSUYA
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Hybrid deposition system & methods 专利
专利号: EP1374282A1, 申请日期: 2004-01-02, 公开日期: 2004-01-02
作者:  SOLOMON, GLENN, S.;  MILLER, DAVID, J.
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超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法 专利
专利号: JP2002514997A, 申请日期: 2002-05-21, 公开日期: 2002-05-21
作者:  タスカー ニキル アール;  ドールマン ドナルド アール;  ギャラガー デニス
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Method and apparatus for producing group-III nitrides 专利
专利号: US20010006845A1, 申请日期: 2001-07-05, 公开日期: 2001-07-05
作者:  KRYLIOUK, OLGA
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半導体素子の保護膜形成方法 专利
专利号: JP2846086B2, 申请日期: 1998-10-30, 公开日期: 1999-01-13
作者:  長谷川 光利
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半導体レーザ装置 专利
专利号: JP2685800B2, 申请日期: 1997-08-15, 公开日期: 1997-12-03
作者:  成塚 重弥;  石川 正行;  板谷 和彦;  国分 義弘;  大場 康夫
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混晶グレーデッドエピタキシャル基板 专利
专利号: JP1995120624B2, 申请日期: 1995-12-20, 公开日期: 1995-12-20
作者:  松本 卓
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