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	超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法
	タスカー ニキル アール; ドールマン ドナルド アール; ギャラガー デニス
	2002-05-21
著作权人	フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
专利号	JP2002514997A
国家	日本
文献子类	发明申请
其他题名	超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法
英文摘要	Semiconductor compounds and a method for producing the same are provided wherein a method for growing at least one epitaxial layer of a II-VI semiconductor compound using MOVPE is used, the method including the steps of subjecting a substrate to organometallic and hydride precursor compounds in a MOVPE reactor at ultra low pressure, i.e. a pressure in the range of about 10 to 1 mTorr, whereby the organometallic and hydride precursor compounds react at a substrate surface without substantial reaction in the gas phase. The epitaxial layers and semiconductor compounds are useful in blue laser devices.
公开日期	2002-05-21
申请日期	1996-04-17
状态	失效
内容类型	专利
源URL	[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/87919]
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
推荐引用方式 GB/T 7714	タスカー ニキル アール,ドールマン ドナルド アール,ギャラガー デニス. 超低圧金属-有機蒸気相エピタキシ方法によるII-VI半導体化合物の製造方法. JP2002514997A. 2002-05-21.

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