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| 半導体装置 专利
专利号: JP1994101582B2, 申请日期: 1994-12-12, 公开日期: 1994-12-12
作者: 伊藤 和弘; 松田 広志; 藤原 一郎; 長妻 一之; 大内 博文
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| - 专利
专利号: JP1993064478B2, 申请日期: 1993-09-14, 公开日期: 1993-09-14
作者: MORIMOTO TAIJI; HAYASHI HIROSHI; YAMAMOTO SABURO; YANO MORICHIKA
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| A method for the production of a semiconductor laser device 专利
专利号: EP0469900A2, 申请日期: 1992-02-05, 公开日期: 1992-02-05
作者: MATSUMOTO, MITSUHIRO; SASAKI, KAZUAKI; KONDO, MASAKI
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| - 专利
专利号: JP1991022052B2, 申请日期: 1991-03-26, 公开日期: 1991-03-26
作者: NAKAJIMA KAZUO
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| Method for growing thin film crystal 专利
专利号: JP1989194314A, 申请日期: 1989-08-04, 公开日期: 1989-08-04
作者: USUDA KOJI; YASUAMI SHIGERU
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| - 专利
专利号: JP1988023651B2, 申请日期: 1988-05-17, 公开日期: 1988-05-17
作者: MATSUMOTO YOSHINARI
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| Manufacture of semiconductor laser 专利
专利号: JP1988078588A, 申请日期: 1988-04-08, 公开日期: 1988-04-08
作者: USHIJIMA ICHIRO; GOTO HIROSHI
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| Liquid phase epitaxy 专利
专利号: JP1988000114A, 申请日期: 1988-01-05, 公开日期: 1988-01-05
作者: SASAI YOICHI; OGURA MOTOTSUGU
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| Manufacture of high-resistance indium phosphide semiconductor layer 专利
专利号: JP1987230018A, 申请日期: 1987-10-08, 公开日期: 1987-10-08
作者: KONDO MASATO
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| Manufacture of buried hetero semiconductor laser 专利
专利号: JP1987090993A, 申请日期: 1987-04-25, 公开日期: 1987-04-25
作者: KAWANO HIDEO
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