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| 一种垂直腔面发射激光器驱动电源 专利
专利号: CN209133836U, 申请日期: 2019-07-19, 公开日期: 2019-07-19
作者: 闫友义; 李阳
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| 一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器 专利
专利号: CN206225777U, 申请日期: 2017-06-06, 公开日期: 2017-06-06
作者: 徐玉兰; 林琦; 林中晞; 苏辉
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| 一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器 专利
专利号: CN106329311A, 申请日期: 2017-01-11, 公开日期: 2017-01-11
作者: 徐玉兰; 林琦; 林中晞; 苏辉
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| 一种交直流电流传感器的磁芯选择方法 专利
专利号: CN105866505A, 申请日期: 2016-08-17, 公开日期: 2016-08-17
作者: 朱燕燕; 王东兴; 李瑞; 卢宋林
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| 一种提高GaN HEMT退火成功率的方法 专利
专利号: CN200910091630.3, 申请日期: 2011-09-07, 公开日期: 2010-03-03
作者: 刘新宇 ; 赵妙; 王鑫华
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| 半导体设备及其半导体激光器驱动设备和图像形成设备 专利
专利号: CN101447642A, 申请日期: 2009-06-03, 公开日期: 2009-06-03
作者: 釜谷智彦
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