一种提高GaN HEMT退火成功率的方法

	一种提高GaN HEMT退火成功率的方法
	刘新宇; 赵妙; 王鑫华
	2011-09-07
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN200910091630.3
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	本发明涉及一种提高GaN HEMT退火成功率的方法，属于半导体器件技术领域。所述方法包括：测量GaN HEMT的肖特基反向特性曲线；根据测得的肖特基反向特性曲线，绘制以ln\|I\|为纵坐标，Vr1/4为横坐标的电流电压曲线；根据位于小于器件阈值电压区域内的电流电压曲线形状，判断是否对 GaN HEMT进行退火。本发明通过根据肖特基反向特性曲线绘制的电流电压曲线，对GaN HEMT退火后其直流特性能否上升进行判断，从而选择性地对器件进行退火，以降低退火后器件失效的数量，提高器件的退火成功率，同时节约了成本。
公开日期	2010-03-03
申请日期	2009-08-26
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://10.10.10.126/handle/311049/8456]
专题	微电子研究所_高频高压器件与集成研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	刘新宇,赵妙,王鑫华. 一种提高GaN HEMT退火成功率的方法. CN200910091630.3. 2011-09-07.