| 一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器 | |
| 徐玉兰; 林琦; 林中晞; 苏辉 | |
| 2017-06-06 | |
| 著作权人 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 专利号 | CN206225777U |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 实用新型 |
| 其他题名 | 一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器 |
| 英文摘要 | 本实用新型涉及一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器，所述激光器采用脊波导结构，在该脊波导结构的脊上依次形成脊增益区、脊波导电隔离区和脊波导饱和吸收区；在所述脊增益区侧边的任意位置形成侧边可调增益/吸收区。侧边可调增益/吸收区根据施加电压的不同，可为增益区，也可为吸收区。本实用新型利用侧边吸收区所具有的光吸收特性，减小脊波导侧边近波长或亚波长量级的凹凸结构对光产生的散射或者衍射；利用侧边吸收区所具有的饱和吸收特性，有效压缩脉冲宽度；利用侧边脊增益区的增益放大特性，提高光脉冲的输出功率。从而实现锁模激光器高质量超短脉冲的输出，同时适当降低对制备工艺精度的要求，简化了激光器性能测试时电流电压复杂的调试。 |
| 公开日期 | 2017-06-06 |
| 申请日期 | 2016-11-14 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47906]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐玉兰,林琦,林中晞,等. 一种含侧边可调增益/吸收区的半导体锁模激光器. CN206225777U. 2017-06-06. |
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