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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超 ; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
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| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法 专利
专利号: CN200710064870.5, 申请日期: 2012-05-23, 公开日期: 2008-10-01
作者: 海潮和; 曾传滨; 李多力; 李晶; 韩郑生
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| 一种沟槽型的绝缘栅双极性晶体管及其制备方法 专利
申请日期: 2012-01-01,
作者: 朱阳军; 卢烁今; 赵佳; 田晓丽; 吴振兴
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| 一种具有缓冲层的SOI超结LDMOS器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102130176A, 申请日期: 2011-07-20, 公开日期: 2011-07-20
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 夏超; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| 一种具有多层超结结构的LDMOS器件 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101916780A, 申请日期: 2010-12-15, 公开日期: 2010-12-15
程新红; 何大伟; 王中健; 徐大伟; 宋朝瑞; 俞跃辉
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| 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1560925, 申请日期: 2005-01-05, 公开日期: 2005-01-05
杨文伟; 俞跃辉; 董业民; 程新红
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| 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法 专利
专利号: CN200610104117.X, 公开日期: 2008-02-06
作者: 吴俊峰; 韩郑生; 毕津顺; 海潮和
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