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| Hetero-integration of dissimilar semiconductor materials 专利 专利号: US6495385, 申请日期: 2002-12-17, 公开日期: 2002-12-17 作者: XIE, YA-HONG 收藏  |  浏览/下载:13/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| Semiconductor Laser with gamma and X electron barriers 专利 专利号: GB2344932A, 申请日期: 2000-06-21, 公开日期: 2000-06-21 作者: STEPHEN PETER NAJDA 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Current confinement via defect generator and hetero-interface interaction 专利 专利号: US5831295, 申请日期: 1998-11-03, 公开日期: 1998-11-03 作者: HUANG, JENN-HWA; TEHRANI, SAIED N. 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| 半導体発光素子 专利 专利号: JP2751306B2, 申请日期: 1998-02-27, 公开日期: 1998-05-18 作者: 山腰 茂伸 收藏  |  浏览/下载:1/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体レーザ 专利 专利号: JP2687694B2, 申请日期: 1997-08-22, 公开日期: 1997-12-08 作者: 深谷 一夫 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/13 |
| 半導体発光素子 专利 专利号: JP2643127B2, 申请日期: 1997-05-02, 公开日期: 1997-08-20 作者: 下林 隆; 伊藤 直行 收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 半導体発光素子 专利 专利号: JP2591333B2, 申请日期: 1996-12-19, 公开日期: 1997-03-19 作者: 麻多 進 收藏  |  浏览/下载:16/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 赤外半導体レ-ザ 专利 专利号: JP2529854B2, 申请日期: 1996-06-14, 公开日期: 1996-09-04 作者: 鈴木 正敏; 久代 行俊; 宇高 勝之; 秋葉 重幸; 松島 裕一 收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2019/12/24 |
| - 专利 专利号: JP1993063105B2, 申请日期: 1993-09-09, 公开日期: 1993-09-09 作者: ASATA SUSUMU 收藏  |  浏览/下载:8/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| Double hetero-junction structure and semiconductor laser element 专利 专利号: JP1992333291A, 申请日期: 1992-11-20, 公开日期: 1992-11-20 作者: SHIBATA HAJIME; MIHASHI YOSHINOBU; KONDO HIDEKAZU; OOTA TOMOHIRO 收藏  |  浏览/下载:17/0  |  提交时间:2019/12/31 |