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调制掺杂型多周期应变补偿量子阱外延层及其生长方法 专利
专利号: CN105932543B, 申请日期: 2019-05-17, 公开日期: 2019-05-17
作者:  吴瑞华
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一种制备GaN基激光器的方法以及一种GaN基激光器 专利
专利号: CN104319631B, 申请日期: 2017-04-26, 公开日期: 2017-04-26
作者:  贾传宇;  张国义;  童玉珍
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一种非极性GaN薄膜的生长方法 专利
专利号: CN101364631B, 申请日期: 2011-09-14, 公开日期: 2011-09-14
作者:  周健华;  郝茂盛;  颜建锋;  潘尧波;  周圣明
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