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一种薄GOI晶片及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102290369A, 申请日期: 2011-12-21, 公开日期: 2011-12-21
张苗; 陈达; 卞剑涛; 姜海涛; 薛忠营
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含有数字合金位错隔离层的大失配外延缓冲层结构及制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102254954A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
顾溢; 张永刚
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基于硅塑性变形原理的二维梳齿静电驱动器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101955151A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
车录锋; 陈琳; 李伟; 宋朝辉; 戈肖鸿
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利用绝缘体上硅制备悬空应变硅薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101958271A, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2011-01-26
张苗; 张波; 王曦; 薛忠营; 魏星; 武爱民
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一种利用层转移技术制备绝缘体上锗硅材料的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101866874A, 申请日期: 2010-10-20, 公开日期: 2010-10-20
张苗; 薛忠营; 张波; 魏星
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包含超晶格隔离层的大晶格失配外延材料缓冲层结构及其制备 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101814429A, 申请日期: 2010-08-25, 公开日期: 2010-08-25
顾溢; 张永刚
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混合晶向应变硅衬底及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101692440A, 申请日期: 2010-04-07, 公开日期: 2010-04-07
魏星; 王湘; 李显元; 张苗; 王曦; 林成鲁
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波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101087005, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2007-12-12
张永刚; 顾溢; 田招兵
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一种改变氢化物气相外延法生长的氮化镓外延层极性的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1832112, 申请日期: 2006-09-13, 公开日期: 2006-09-13
雷本亮; 于广辉; 齐鸣; 叶好华; 孟胜; 李爱珍
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磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1731636, 申请日期: 2006-02-08, 公开日期: 2006-02-08
李爱珍; 陈建新; 徐刚毅; 张永刚
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