| 混合晶向应变硅衬底及其制备方法 | |
| 魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
| 2010-04-07 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101692440A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 一种混合晶向应变硅衬底，包括：支撑衬底；直接设置于支撑衬底表面的锗硅层；以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于，所提供的混合晶向应变硅衬底中，能够降低第一锗硅层的位错密度，并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层，能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中，应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺，能够保持应变硅的应变程度。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-04-07 |
| 申请日期 | 2009-10-13 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910197074.8 |
| 专利代理 | 翟羽 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49270]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 混合晶向应变硅衬底及其制备方法. CN101692440A. 2010-04-07. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论