混合晶向应变硅衬底及其制备方法 | |
魏星 ; 王湘 ; 李显元 ; 张苗 ; 王曦 ; 林成鲁 | |
2010-04-07 | |
专利国别 | 中国 |
专利号 | CN101692440A |
专利类型 | 发明 |
权利人 | 上海新傲科技股份有限公司 ; 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
中文摘要 | 一种混合晶向应变硅衬底,包括:支撑衬底;直接设置于支撑衬底表面的锗硅层;以及直接设置于锗硅层表面的应变硅层。本发明进一步提供了所述混合晶向应变硅衬底的制备方法。本发明的优点在于,所提供的混合晶向应变硅衬底中,能够降低第一锗硅层的位错密度,并且保证第一应变硅区域的应变状态。并且由于具有锗硅层作为支撑衬底和应变硅层之间的缓冲层,能够提高应变硅层的晶格质量和应变程度。进一步提供的混合晶向应变硅衬底制备方法中,应变硅层生长完毕后无需再进行抛光、外延以及键合等工艺,能够保持应变硅的应变程度。 |
是否PCT专利 | 是 |
公开日期 | 2010-04-07 |
申请日期 | 2009-10-13 |
语种 | 中文 |
专利申请号 | 200910197074.8 |
专利代理 | 翟羽 |
内容类型 | 专利 |
源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49270] ![]() |
专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏星,王湘,李显元,等. 混合晶向应变硅衬底及其制备方法. CN101692440A. 2010-04-07. |
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