| 波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法 | |
| 张永刚 ; 顾溢 ; 田招兵 | |
| 2007-12-12 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101087005 |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种用于波长扩展InGaAs光电探测器及其阵列的宽禁带透 明缓冲层及窗口层及制作方法，包括采用禁带宽度大于波长扩展InGaAs材 料且适合采用分子束外延方法生长又方便控制的含铝三元或四元系材料体 系、可有效避免失配位错且适合于背面进光的透明梯度渐变缓冲层结构以及 适合正面进光并可减小表面复合和提高量子效率的透明窗口层结构。本发明 的宽禁带缓冲层及窗口层结构既适合于采用背面进光及倒扣封装结构的单 元或阵列器件，也适合于采用常规正面进光结构的单元或阵列器件，具有很 好的通用性。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2007-12-12 |
| 申请日期 | 2007-06-08 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200710041778.7 |
| 专利代理 | 潘振甦 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/48507]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张永刚,顾溢,田招兵. 波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法. CN101087005. 2007-12-12. |
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