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精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101698962A, 申请日期: 2010-04-28, 公开日期: 2010-04-28
顾溢; 张永刚
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波长扩展InGaAs探测器及阵列宽带缓冲层和窗口层及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN101087005, 申请日期: 2007-12-12, 公开日期: 2007-12-12
张永刚; 顾溢; 田招兵
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制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN1328175, 申请日期: 2001-01-01, 公开日期: 2001-12-26
李爱珍; 林春; 郑燕兰; 简贵胄; 张永刚
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钇钡铜钛氧化物超导材料的制造方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN87101063, 申请日期: 1988-01-01, 公开日期: 1988-12-28
杨民杰; 沈德新; 昌庆余; 曹美琴; 朱建中
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