| 精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法 | |
| 顾溢 ; 张永刚 | |
| 2010-04-28 | |
| 专利国别 | 中国 |
| 专利号 | CN101698962A |
| 专利类型 | 发明 |
| 权利人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 中文摘要 | 本发明涉及一种精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法，包括采用常规分子束外延方法在衬底上生长四元系半导体材料；分别测试四元系半导体材料的室温晶格常数和室温禁带宽度；根据半导体材料室温晶格常数和禁带宽度与材料组分的关系进行计算得出材料组分；通过调节生长条件，重复操作直到材料组分与目标组分相符，即完成四元系半导体直接带隙材料的生长。该方法无需预先生长相应的三元系半导体材料，可以直接在衬底上生长四元系半导体直接带隙材料，在节约成本的同时，对所需材料的组分进行了准确有效地指导生长。 |
| 是否PCT专利 | 是 |
| 公开日期 | 2010-04-28 |
| 申请日期 | 2009-11-03 |
| 语种 | 中文 |
| 专利申请号 | 200910198255.2 |
| 专利代理 | 黄志达 ; 宋缨 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/49280]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_中文期刊、会议、专利、成果_专利 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 顾溢,张永刚. 精确控制四元系半导体直接带隙材料组分的生长与表征方法. CN101698962A. 2010-04-28. |
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