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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110254440.6, 申请日期: 2015-04-15, 公开日期: 2013-03-06
作者: 朱慧珑 ; 梁擎擎; 骆志炯; 尹海洲
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| 抗辐照加固的SOI结构及其制作方法 专利
专利号: CN201110418323.9, 申请日期: 2015-02-18, 公开日期: 2012-05-02
作者: 罗家俊; 吕荫学; 毕津顺; 韩郑生; 叶甜春
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| 采用三维排气孔装置的SOI/III-V整片晶片键合方法 专利
专利号: CN201010574339.4, 申请日期: 2014-01-01, 公开日期: 2012-06-06
作者: 刘焕明; 申华军; 周静涛; 刘新宇; 杨成樾
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| MOSFET及其制造方法 专利
申请日期: 2011-10-12,
作者: 朱慧珑; 梁擎擎; 尹海洲; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| MOSFET及其制造方法 专利
申请日期: 2011-10-12,
作者: 朱慧珑; 梁擎擎; 殷华湘; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| MOSFET及其制造方法 专利
申请日期: 2011-09-16,
作者: 朱慧珑; 许淼; 梁擎擎
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2011-08-31,
作者: 尹海洲; 朱慧珑; 梁擎擎; 骆志炯
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2017/07/03 |
| 半导体器件及其制造方法 专利
申请日期: 2011-08-31,
作者: 朱慧珑; 梁擎擎; 骆志炯; 尹海洲
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| MOSFET及其制造方法 专利
申请日期: 2011-06-23,
作者: 朱慧珑; 许淼; 梁擎擎
收藏 | 浏览/下载：8/0 | 提交时间：2016/09/18 |
| MOSFET及其制造方法 专利
申请日期: 2011-06-23,
作者: 朱慧珑; 许淼; 梁擎擎
收藏 | 浏览/下载：6/0 | 提交时间：2016/09/18 |
