| MOSFET及其制造方法 | |
| 朱慧珑; 许淼; 梁擎擎 | |
| 2011-06-23 | |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本申请公开了一种MOSFET及其制造方法，其中所述MOSFET包括，SOI晶片，所述SOI晶片包括半导体衬底、绝缘埋层和半导体层，所述绝缘埋层位于所述半导体衬底上，所述半导体层位于所述绝缘埋层上；栅叠层，所述栅叠层位于半导体层上；源区和漏区，所述源区和漏区嵌于所述半导体层中且位于所述栅堆叠两侧；沟道区，嵌于所述半导体层中且夹在所述源区和漏区之间；其中，所述MOSFET还包括背栅和补偿注入区，所述背栅嵌于所述半导体衬底中，所述补偿注入区位于所述沟道区下方且嵌于所述背栅中，所述背栅的掺杂类型与所述补偿注入区的掺杂类型相反。该MOSFET可以通过改变背栅中的掺杂类型和/或掺杂分布而实现对阈值电压的调节。 |
| 状态 | 公开 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/15686]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,许淼,梁擎擎. MOSFET及其制造方法. 2011-06-23. |
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