×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
微电子研究所 [5]
内容类型
专利 [5]
发表日期
2010 [2]
2009 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共5条,第1-5条
帮助
限定条件
内容类型:专利
专题:微电子研究所
第一署名单位
第一作者单位
通讯作者单位
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构
专利
专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03
作者:
徐静波
;
张海英
;
叶甜春
收藏
  |  
浏览/下载:3/0
  |  
提交时间:2010/11/26
单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
专利
专利号: CN200710178311.7, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2009-06-03
作者:
徐静波
;
张海英
;
叶甜春
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2010/11/26
高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料
专利
专利号: CN200710063375.2, 申请日期: 2009-12-16, 公开日期: 2008-07-16
作者:
叶甜春
;
尹军舰
;
徐静波
;
张海英
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/26
实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料
专利
专利号: CN200710063372.9, 公开日期: 2008-07-16
作者:
张海英
;
尹军舰
;
徐静波
;
叶甜春
收藏
  |  
浏览/下载:6/0
  |  
提交时间:2010/11/26
砷化镓基增强/耗尽型应变高电子迁移率晶体管材料结构
专利
专利号: CN200710177794.9, 公开日期: 2009-05-27
作者:
张海英
;
徐静波
;
叶甜春
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2010/11/26
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace