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| 一种半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410479915.5, 申请日期: 2018-09-11, 公开日期: 2016-04-13
作者: 唐兆云 ; 杨萌萌; 许静; 王红丽; 唐波
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| 半导体装置及其制造方法 专利
专利号: CN201310630180.7, 申请日期: 2018-05-08, 公开日期: 2015-06-03
作者: 朱慧珑
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| 半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201310388631.0, 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2015-03-18
作者: 朱慧珑
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| 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利
专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07
作者: 赵超; 罗军; 陈大鹏; 叶甜春
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| 一种基于绝缘体上硅的射频LDMOS晶体管结构 专利
专利号: CN201110007880.1, 申请日期: 2014-10-22, 公开日期: 2012-07-18
作者: 刘刚; 刘梦新; 毕津顺; 罗家俊; 韩郑生
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| 一种绝缘体上硅二极管器件及其制备方法 专利
专利号: CN201110183539.1, 申请日期: 2014-10-15, 公开日期: 2011-11-16
作者: 罗家俊; 海潮和; 韩郑生; 毕津顺
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| 一种自对准石墨烯场效应晶体管及其制备方法 专利
专利号: CN103311276A, 申请日期: 2013-09-18,
作者: 张大勇; 彭松昂; 金智; 陈娇; 史敬元
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| 一种基于绝缘体上硅的MOS晶体管 专利
专利号: CN201010531161.5, 申请日期: 2013-08-28, 公开日期: 2012-05-23
作者: 罗家俊; 韩郑生; 刘刚; 赵发展; 刘梦新
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| 一种预测绝缘体上硅器件热载流子寿命的方法 专利
专利号: CN201010157559.7, 申请日期: 2013-08-07, 公开日期: 2011-11-09
作者: 韩郑生; 毕津顺; 卜建辉; 习林茂
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| 半导体设置及其制造方法 专利
申请日期: 2013-02-08,
作者: 朱慧珑
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