半导体装置及其制造方法

	半导体装置及其制造方法
	朱慧珑
	2018-05-08
著作权人	中国科学院微电子研究所
专利号	CN201310630180.7
国家	中国
文献子类	发明专利
英文摘要	提供了一种半导体装置及其制造方法。一示例装置可以包括绝缘体上半导体(SOI)衬底以及在SOI衬底上形成的第一半导体器件和第二半导体器件。第一半导体器件可以包括第一栅堆叠以及位于第一栅堆叠侧壁上的第一栅侧墙，第二半导体器件可以包括第二栅堆叠以及位于第二栅堆叠侧壁上的第二栅侧墙。该装置还可以包括在第一半导体器件和第二半导体器件之间形成的伪栅侧墙以及自对准于伪栅侧墙所限定的空间的隔离部，所述隔离部将第一半导体器件和第二半导体器件电隔离。
公开日期	2015-06-03
申请日期	2013-11-28
语种	中文
内容类型	专利
源URL	[http://159.226.55.107/handle/172511/18783]
专题	微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位	中国科学院微电子研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	朱慧珑. 半导体装置及其制造方法. CN201310630180.7. 2018-05-08.