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科研机构
上海技术物理研究所 [9]
内容类型
学位论文 [9]
发表日期
2012 [1]
2010 [1]
2009 [2]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [2]
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学科主题
红外探测材料与器件 [9]
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学科主题:红外探测材料与器件
专题:上海技术物理研究所
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碲镉汞电子雪崩探测器分子束外延材料基础研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2012
作者:
顾仁杰
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞
雪崩光电二极管
分子束外延
碲镉汞红外光伏探测器表面钝化特性和可靠性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
邓屹
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2012/09/11
碲镉汞
双层钝化
湿法腐蚀
真空烘烤
实时辐照
碲镉汞微台面干法隔离的ICP技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
周文洪
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/08/22
碲镉汞
微台面列阵隔离
Icp刻蚀
高占空比
刻蚀损伤
短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2012/08/22
由于ingaas 短波红外探测器具有可以室温工作
探测率高等优点
Ingaas线列红外焦平面在国外已经成功用于空间遥感。本论文主要围绕台面结构的ingaas探测器制备的台面成型工艺展开研究
重点研究了感应耦合等离子体刻蚀(icp)台面成型工艺。同时利用不同的台面成型方式制备ingaas探测器
通过最终性能的比较
评价得出较好的台面成型方式
为ingaas红外焦平面的研制提供工艺参考。取得结果如下:icp刻蚀中掩膜的材料致密性
侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响。为了使刻蚀残留物挥发掉
铟基材料的刻蚀需要对样品加热
在此温度下
光刻胶掩膜会碳化。对于ingaas材料来说
采用pecvd生长sinx
选择边缘平整的光刻板
用sf6 Rie刻蚀sinx后用hf:nh4f:h2o为3:6:10的溶液常温腐蚀6秒
可以实现垂直光滑的刻蚀端面。ch4/cl2刻蚀铟基材料表面光洁无残留物
但对于制备2µm左右台面深度的延伸波长ingaas探测器
平均刻蚀速率过快
同时钻蚀略大了些。ar气和n2能加速cl2的分离
提高刻蚀速率
相比较ar气
N2的物理轰击力小
对材料造成的损伤小
同时在刻蚀过程中n2能和材料中的si发生反应生成sinx
在材料表面产生钝化。用cl2/n2作为刻蚀气体对ingaas探测器进行台面成型
能得到刻蚀速率稳定可控
刻蚀后的表面光洁无残留物
图形保真度好。在不同的直流偏压
Icp功率
气体总流量和气体组分等参数下进行台面成型
并从刻蚀速率
刻蚀垂直度
刻蚀表面粗糙度等几个方面对刻蚀质量做了评估和分析。在摸清铟基材料刻蚀规律的基础上
找到了可用于常规波长和延伸波长ingaas探测器制备的icp刻蚀参数。icp刻蚀与湿法腐蚀台面成型的八元台面器件具有相同的性能。但是在器件性能相当的情况下
Icp具有图形保真度好
刻蚀速率稳定可控的优点
因而更适用于ingaas探测器的工程制作
特别在小光敏元探测器的制备中
Icp的优势将更明显。
台面型InGaAs短波红外线列探测器技术研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
唐恒敬
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/08/22
Ingaas
空间遥感
短波红外探测器
焦平面
钝化
欧姆接触
GaN/AlGaN紫外探测器的制备与光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2008
作者:
陈亮
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2012/08/22
Gan/algan
Icp刻蚀
器件制备
量子效率
氮化镓基雪崩光电二极管的研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2007
作者:
许金通
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/08/14
氮化镓基雪崩光电二极管
湿法腐蚀
持续光电导
星载碲镉汞红外探测器的可靠性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
刘大福
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/08/14
红外探测器
碲镉汞
可靠性
键合
加速实验
电流机制
I-v
GaN基p-i-n紫外列阵探测器的制备与光电特性研究
学位论文
: 中国科学院研究生院, 2006
作者:
亢勇
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浏览/下载:56/0
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提交时间:2012/07/11
Gan基阵列紫外探测器
器件制备
Icp干法刻蚀
结电容频率特性
内量子效率
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