| 题名 | 台面型InGaAs短波红外线列探测器技术研究 |
| 作者 | 唐恒敬 |
| 答辩日期 | 2008-12-23 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 导师 | 龚海梅 |
| 关键词 | Ingaas 空间遥感 短波红外探测器 焦平面 钝化 欧姆接触 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 英文摘要 | 本论文研究了SiNx薄膜的退火效应，发现退火后SiNx薄膜的透射率增加，表面粗糙度降低，SiNx/InP界面之间的张应力明显减小。用MIS器件结构研究了SiNx薄膜对硫化后n型InP的钝化机理，发现退火后表面固定电荷密度和最小表面态密度分别为-1.96×1012 cm-2和7.41×1011 cm-2•eV-1。用MIS器件对(NH4)2Sx硫化后的InGaAs生长SiNx薄膜的钝化效果进行了评价，退火的引入有利于减小表面固定电荷密度，降低表面态密度。设计了p-InP低台面结构的光敏芯片，这种芯片没有量子效率异常现象，光敏芯片在峰值波长的量子效率约为80%。研制了高均匀性、无盲元的256×1台面InGaAs焦平面探测器，平均峰值探测率为1.20×1012 cmHz1/2/W，响应非均匀性为3.87%，并配合系统实现了扫描成像。在正照射器件的研制基础上，研制了背照射线列器件，256×1元背照射InGaAs焦平面组件的峰值探测率为4.5~6×1011 cmHz1/2W-1，响应非均匀性3.5%~5%，盲元率0.4%~2%；512×1元背照射InGaAs探测器组件的平均峰值探测率为6.13×1011cmHz1/2W-1，响应不均匀性为3.71%，盲元率为0.39%。研究了由部分材料所制备InGaAs探测器芯片I-V曲线中的负阻现象，分析了负阻现象出现的原因，认为是由界面缺陷引起的隧道效应造成的，并提出了一个能带模型解释了负阻现象。研究了优化的金属膜系Au/Zn/Pt/Au与p-InP的接触特性，利用该金属膜系，在450 °C、30 s热退火条件下实现了与p-InP的欧姆接触，比接触电阻为6.56×10-3 Ω•cm2。 |
| 学科主题 | 红外探测材料与器件 |
| 公开日期 | 2012-08-22 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://202.127.1.142/handle/181331/5020]  |
| 专题 | 上海技术物理研究所_上海技物所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐恒敬. 台面型InGaAs短波红外线列探测器技术研究[D]. 中国科学院研究生院. 2008. |
| 个性服务 |
| 查看访问统计 |
| 相关权益政策 |
| 暂无数据 |
| 收藏/分享 |
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。
修改评论