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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Atomic hydrogen induced step bunching and fabrication of quantum wire arrays on GaAs (311)A substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 2, 页码: 218-221 Zhou DY; Lan Q; Kong YC; Miao ZH; Feng SL; Niu ZC 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy (MBE) step bunching  InGaAs  quantum wire  SURFACE-DIFFUSION  GROWTH  DOTS   Study of optical properties in GaAs1-xSbx/GaAs single quantum wells 期刊论文 acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 7, 页码: 1761-1765 Luo XD; Bian LF; Xu ZY; Luo HL; Wang YQ; Wang JN; Ge WK 收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2010/08/12 GaAsSb/GaAs  selectively-excited  type II transition  ROOM-TEMPERATURE  GAAS  DOTS  OPERATION   Dose rate dependence of electrical characteristics of lead zirconate titanate capacitors 期刊论文 japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6491-6495 Zhang GQ; Sun P; Zou Q; Mei X; Ruda HE; Gu Q; Yu XF; Ren DY; Yan RL 收藏  |  浏览/下载：1271/12  |  提交时间：2010/08/12 ionizing radiation  dose rate  PZT  dielectric constant  coercive field  C-V curves  remanent polarization  FERROELECTRIC PZT CAPACITORS  IONIZING-RADIATION  BORDER TRAPS  TRANSISTORS  DEGRADATION  MECHANISMS  MEMORIES  VOLTAGE  DEVICES  RAY   Calculation of the hourly and daily radiation incident on three step tracking planes 期刊论文 energy conversion and management, 2003, 卷号: 44, 期号: 12, 页码: 1999-2011 Ai B; Shen H; Ban Q; Ji B; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/08/12 azimuth three step tracking  hour angle three step tracking  PV system design  SOLAR-RADIATION  TILTED SURFACES  INCLINED SURFACES  MODELS   High-power and long-lifetime InAs/GaAs quantum-dot laser at 1080 nm 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 18, 页码: 2868-2870 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：215/69  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE   The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 期刊论文 physics of low-dimensional structures, 1997, 卷号: 12, 期号: 0, 页码: 219-225 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2010/08/12 GROWTH  INTERDIFFUSION  ISLANDS  SCALE   Molecular beam epitaxy growth of Iny2Al1-y2As/In0.73Ga0.27As/Iny1Al1-y1As/InP P-HEMTs with enhancement conductivity using an intentional nonlattice-matched buffer layer 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 1997, 卷号: 15, 期号: 6, 页码: 2021-2025 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 HETEROSTRUCTURES   The enhancement of diffusion by strain of InAs quantum dots in a GaAs matrix 会议论文 10th international conference on superlattices, microstructures and microdevices, lincoln, nebraska, jul 08-11, 1997 Wang ZM; Feng SL; Lu ZD; Zhao Q; Yang XP; Chen ZG; Xu ZY; Zheng HZ 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 GROWTH  INTERDIFFUSION  ISLANDS  SCALE