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科研机构
半导体研究所 [14]
内容类型
期刊论文 [12]
会议论文 [2]
发表日期
2008 [1]
2003 [4]
2002 [2]
2001 [1]
2000 [1]
1999 [2]
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学科主题
半导体物理 [14]
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学科主题:半导体物理
专题:半导体研究所
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Effects of coupling lens on optical refrigeration of semiconductors
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 5, 页码: 1878-1880
Ding, K
;
Zeng, YP
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浏览/下载:54/3
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提交时间:2010/03/08
THULIUM-DOPED GLASS
UP-CONVERSION
LASER
A method to obtain ground state electroluminescence from 1.3 mu m emitting InAs/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics, 2003, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 97-99
Kong YC
;
Zhou DY
;
Lan Q
;
Liu JL
;
Miao ZH
;
Feng SL
;
Niu ZC
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浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/08/12
quantum dots
electroluminescence
state filling effect
OPTICAL-PROPERTIES
WAVELENGTH
EMISSION
LASER
GAAS
DEPENDENCE
LAYER
Size evolution and optical properties of self-assembled InAs quantum dots on different matrix
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2003, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 292-297
作者:
Xu B
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2010/08/12
self-assembled
MBE
quantum dots
photoluminescence
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
EXCITED-STATES
INXGA1-XAS
LASERS
INP
Structure and photoluminescence study of InGaAs/GaAs quantum dots grown via cycled (InAs)(n)/(GaAs)(n) monolayer deposition
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 3, 页码: 1154-1157
He J
;
Wang XD
;
Xu B
;
Wang ZG
;
Qu SC
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/08/12
MBE
InGaAs/GaAs
quantum dots
photoluminescence
morphology
MU-M
WELL STRUCTURES
GAAS
LASERS
TEMPERATURE
STATES
INP
Magnetic-field-induced nonthermal occupation of higher subbands in a three-barrier tunneling structure
期刊论文
spectroscopy and spectral analysis, 2003, 卷号: 23, 期号: 3, 页码: 470-473
作者:
Tan PH
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浏览/下载:50/0
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提交时间:2010/08/12
resonance tunneling
nonthermal occupation
intersubband relaxation
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
POPULATION-INVERSION
ELECTRON
EMISSION
LASER
Occupation modulation of higher subbands in a three-barrier tunnelling structure with a magnetic field
期刊论文
chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: 1509-1512
作者:
Tan PH
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浏览/下载:52/0
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提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES
POPULATION-INVERSION
TUNNELING STRUCTURE
ELECTRON
EMISSION
LASER
Photoluminescence study of self-assembled InAs/GaAs quantum dots covered by an InAlAs and InGaAs combination layer
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 1, 页码: 511-514
作者:
Jin P
;
Li CM
;
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:57/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
1.3 MU-M
TEMPERATURE-DEPENDENCE
GROWTH
GAAS
LASERS
Analysis of semiconductor microlasers with an equilateral triangle resonator by rate equations
期刊论文
ieee journal of quantum electronics, 2001, 卷号: 37, 期号: 10, 页码: 1259-1264
Huang YZ
;
Guo WH
;
Yu LJ
;
Lei HB
收藏
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浏览/下载:126/3
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提交时间:2010/08/12
finite-difference time-domain technique
microlasers
rate equations
semiconductor laser
single-mode operation
LASERS
Structural and photoluminescence properties of In-0.9(Ga/Al)(0.1)As self-assembled quantum dots on InP substrate
期刊论文
journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 1, 页码: 533-536
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INAS ISLANDS
INP(001)
GROWTH
GAAS
SEMICONDUCTORS
THICKNESS
LASERS
INGAAS
SIZE
InP-based optoelectronic devices for optical fiber communications
会议论文
1st czech-chinese workshop on advanced materials for optoelectronics (amfo 98), prague, czech republic, jun 15-17, 1998
Luo Y
;
Chen LH
;
Li TN
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
FEEDBACK SEMICONDUCTOR-LASERS
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