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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Peculiarity of constant photocurrent method for silicon films with mixed amorphous-nanocrystalline structure 期刊论文 journal of non-crystalline solids, 2008, 卷号: 354, 期号: 19-25, 页码: 2282-2285 Kazanskii, AG; Kong, GL; Zeng, XB; Hao, HY; Liu, FZ 收藏  |  浏览/下载：106/29  |  提交时间：2010/03/08 silicon  conductivity  chemical vapor deposition  microcrystallinity  absorption  photoconductivity   8 mu m strain-compensated quantum cascade laser operating at room temperature 期刊论文 semiconductor science and technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 844-846 Guo, Y; Liu, FQ; Liu, JQ; Li, CM; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：65/19  |  提交时间：2010/03/17 CONTINUOUS-WAVE OPERATION   Computer simulation of a-Si : H/mu c-Si : H diphasic silicon solar cells 期刊论文 acta physica sinica, 2005, 卷号: 54, 期号: 7, 页码: 3370-3374 Hao HY; Kong GL; Zeng XB; Xu Y; Diao HW; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：51/25  |  提交时间：2010/03/17 diphasic silicon films   Realization of GaAs/AlGaAs quantum-cascade lasers with high average optical power 期刊论文 solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 1961-1964 Liu JQ; Liu FQ; Lu XZ; Guo Y; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：300/3  |  提交时间：2010/04/11 X-ray diffraction  molecular beam epitaxy  semiconducting gallium compounds  quantum-cascade lasers (QCLs)  UNIPOLAR SEMICONDUCTOR-LASERS  MU-M  OPERATION   Effect of spontaneous and piezoelectric polarization on intersubband transition in AlxGa1-xN-GaN quantum well 期刊论文 journal of vacuum science & technology b, 2004, 卷号: 22, 期号: 6, 页码: 2568-2573 Li, JM; Lu, YW; Li, DB; Han, XX; Zhu, QS; Liu, XL; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/03/17 RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY   980nm InGaAs/InGaAsP quantum well lasers with AlGaAs cladding grown by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文 electronics letters, 1998, 卷号: 34, 期号: 13, 页码: 1312-1313 Yang GW; Xu ZT; Ma XY; Xu JY; Zhang JM; Chen LH 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 WAVE-GUIDE  EPITAXY  DIODES  GAINP  POWER