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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition 会议论文 symposium on quantum confined semiconductor nanostructures held at the 2002 mrs fall meeting, boston, ma, dec 02, 2001-dec 05, 2002 Zeng XB; Liao XB; Diao HW; Hu ZH; Xu YY; Zhang SB; Chen CY; Chen WD; Kong GL 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2010/10/29 LASER-ABLATION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  GROWTH  MECHANISM  EVAPORATION  DIAMETER  WIRES   Silicon nanowires grown on a pre-annealed Si substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 247, 期号: 1-2, 页码: 13-16 Zeng XB; Xu YY; Zhang SB; Hu ZH; Diao HW; Wang YQ; Kong GL; Liao XB 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 chemical vapor deposition processes  nanomaterials  semiconducting silicon  LASER-ABLATION  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  MECHANISM  EVAPORATION  DIAMETER  WIRES   Nanodiamond formation by hot-filament chemical vapor deposition on carbon ions bombarded Si 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 236, 期号: 1-3, 页码: 85-89 Liao MY; Meng XM; Zhou XT; Hu JQ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：146/8  |  提交时间：2010/08/12 nucleation  chemical vapor deposition processes  diamond  nanomaterials  DIAMOND THIN-FILMS  AMORPHOUS-CARBON  PLASMAS  SYSTEM  FIELD   Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：88/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   A new structure of In-based ohmic contacts to n-type GaAs 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 1996, 卷号: 62, 期号: 3, 页码: 241-245 Ding SA; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17 MICROSTRUCTURE