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半导体研究所 [14]

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半导体材料 [14]

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限定条件	学科主题：半导体材料

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	Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105 Lu YJ; Lin ZJ; Zhang Y; Meng LG; Cao ZF; Luan CB; Chen H; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：58/2 \| 提交时间：2011/07/05 AlGaN/GaN heterostructures thermal stressing polarization self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations FIELD-EFFECT TRANSISTORS POLARIZATION STABILITY CHARGE GAN
	Self-consistent analysis of AlSb/InAs high electron mobility transistor structures 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 4, 页码: art. no. 044504 Li YB (Li Yanbo); Zhang Y (Zhang Yang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏 \| 浏览/下载：215/46 \| 提交时间：2010/10/11 INAS/ALSB QUANTUM-WELLS LOW-POWER APPLICATIONS HEMTS MODULATION HETEROSTRUCTURES TECHNOLOGY CHANNEL VOLTAGE MASS
	Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 10-12 作者: Zhang Yu 收藏 \| 浏览/下载：16/0 \| 提交时间：2010/11/23
	Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241 Zhang, RQ; Liu, XL; Kang, TT; Hu, WG; Yang, SY; Jiao, CM; Zhu, QS 收藏 \| 浏览/下载：52/3 \| 提交时间：2010/03/08 DEFECT STRUCTURE EPITAXIAL GAN BAND-GAP
	Circular photogalvanic effect of the two-dimensional electron gas in AlXGa1-XN/GaN heterostructures under uniaxial strain 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 7, 页码: art.no.071912 He XW; Shen B; Tang YQ; Tang N; Yin CM; Xu FJ; Yang ZJ; Zhang GY; Chen YH; Tang CG; Wang ZG 收藏 \| 浏览/下载：37/0 \| 提交时间：2010/03/29 QUANTUM-WELLS
	Electron mobility related to scattering caused by the strain variation of AlGaN barrier layer in strained AlGaN/GaN heterostructures 期刊论文 applied physics letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 17, 页码: art.no.173507 Zhao J (Zhao, Jianzhi); Lin Z (Lin, Zhaojun); Corrigan TD (Corrigan, Timothy D.); Wang Z (Wang, Zhen); You Z (You, Zhidong); Wang Z (Wang, Zhanguo) 收藏 \| 浏览/下载：62/0 \| 提交时间：2010/03/29 FIELD-EFFECT TRANSISTORS
	Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs 期刊论文 nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850 Jiao YH (Jiao Y. H.); Wu J (Wu J.); Xu B (Xu B.); Jin P (Jin P.); Hu LJ (Hu L. J.); Liang LY (Liang L. Y.); Ren YY (Ren Y. Y.); Wang ZG (Wang Z. G.) 收藏 \| 浏览/下载：107/0 \| 提交时间：2010/04/11 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION FIELD-EFFECT TRANSISTORS QUANTUM-DOTS SELF-ORGANIZATION ISLANDS NANOSTRUCTURES SUPERLATTICES GROWTH SURFACE GAAS(100)
	A novel application to quantum dot materials to the active region of superluminescent diodes 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 243, 期号: 1, 页码: 25-29 作者: Li CM; Xu B; Jin P; Ye XL 收藏 \| 浏览/下载：33/0 \| 提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy low dimensional structures quantum dots strain molecular beam epitaxy superluminescent diodes 1.3 MU-M HIGH-POWER INTEGRATED ABSORBER INAS ISLANDS SPECTRUM WINDOW LAYER SIZE
	Influence of strain on annealing effects of In(Ga)As quantum dots 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 244, 期号: 2, 页码: 136-141 作者: Xu B 收藏 \| 浏览/下载：47/0 \| 提交时间：2010/08/12 low dimensional structures strain molecular beam epitaxy quantum dots ELECTRONIC-STRUCTURE PHOTOLUMINESCENCE INTERDIFFUSION TRANSITIONS SPECTRA
	Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者: Ye XL; Xu B 收藏 \| 浏览/下载：36/0 \| 提交时间：2010/08/12 quantum dots molecular beam epitaxy high index MOLECULAR-BEAM EPITAXY STRAINED ISLANDS GAAS ORGANIZATION INP(001) LASERS INGAAS LAYER

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