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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
iumrs/icem 2002 conference, xian, peoples r china, jun 10-14, 2002
Zhang ZC; Ren BY; Chen YH; Yang SY; Wang ZG
收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/15
Improved purity of long-wavelength InAsSb epilayers grown by melt epitaxy in fused silica boats 期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 85-90
Gao YZ; Kan H; Gao FS; Gong XY; Yamaguchi T
收藏  |  浏览/下载：85/4  |  提交时间：2010/08/12
Gallium diffusion through cubic GaN films grown on GaAs(100) at high-temperature using low-pressure MOVPE 期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 191, 期号: 4, 页码: 646-650
Xu DP; Yang H; Zheng LX; Wang XJ; Duan LH; Wu RH
收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2010/08/12
Structure and device characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs solar cells 期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 162, 期号: 0, 页码: 43-47
Li B; Xiang XB; You ZP; Xu Y; Fei XY
收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17
REGROWTH  LAYERS  SURFACE  GAAS  AL  
DEEP CENTER SCATTERING POTENTIAL IN INGAP 期刊论文
journal of applied physics, 1994, 卷号: 76, 期号: 11, 页码: 7410-7414
ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN
收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/15
FIELD-EFFECT ON THERMAL EMISSION FROM THE 0.40 EV ELECTRON LEVEL IN INGAP 期刊论文
journal of applied physics, 1993, 卷号: 73, 期号: 2, 页码: 771-774
ZHU QS; HIRAMATSU K; SAWAKI N; AKASAKI I; LIU XN
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/15

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