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半导体材料 [16]

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	Effects of crystalline quality on the phase stability of cubic boron nitride thin films under medium-energy ion irradiation 期刊论文 diamond and related materials, 2005, 卷号: 14, 期号: 9, 页码: 1482-1488 作者: Zhang XW 收藏 \| 浏览/下载：53/14 \| 提交时间：2010/03/17 cubic boron nitride
	Gal(1-x)Mn(1-x)Sb grown on GaSb with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 272-275 Chen CL; Chen NF; Liu LF; Wu JL; Liu ZK; Yang SY; Chai CL 收藏 \| 浏览/下载：53/21 \| 提交时间：2010/03/17 X-ray diffraction
	(Ga, Gd, As) film growth on GaAs substrate by low-energy ion-beam deposit 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 3-4, 页码: 451-455 Song SL; Chen NF; Zhou JP; Li YL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK 收藏 \| 浏览/下载：357/46 \| 提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy
	Properties of high k gate dielectric gadolinium oxide deposited on Si(100) by dual ion beam deposition (DIBD) 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 270, 期号: 1-2, 页码: 21-29 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Li YL; Chen NF 收藏 \| 浏览/下载：145/35 \| 提交时间：2010/03/09 auger electron spectroscopy
	Anomalous temperature dependence of photoluminescence from stoichiometric GD(2)O(3-x) film 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 260, 期号: 1-2, 页码: 136-142 Zhou JP; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Song SL; Chen NF 收藏 \| 浏览/下载：108/14 \| 提交时间：2010/03/09 photoluminescence
	Mn implanted GaAs by low energy ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 264, 期号: 1-3, 页码: 31-35 作者: Yin ZG 收藏 \| 浏览/下载：71/28 \| 提交时间：2010/03/09 X-ray diffraction
	FexSi grown with mass-analyzed low-energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 143-147 Liu LF; Chen NF; Zhang FQ; Chen CL; Li YL; Yang SY; Liu Z 收藏 \| 浏览/下载：81/34 \| 提交时间：2010/03/09 Auger electron spectroscopy
	(Ga,Mn,N) compounds growth with mass-analyzed low energy dual ion beam deposition 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 202-207 Zhang FQ; Chen NF; Liu XG; Liu ZK; Yang SY; Cha CL 收藏 \| 浏览/下载：64/0 \| 提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction ion beam epitaxy semiconducting III-V materials DILUTED MAGNETIC SEMICONDUCTORS IMPLANTED GAN FERROMAGNETISM INJECTION GAAS MN
	Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏 \| 浏览/下载：322/10 \| 提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION BEAM EPITAXY TECHNIQUE SEMICONDUCTING SILICIDES INDUCED FERROMAGNETISM FILMS MAGNETORESISTANCE TEMPERATURE ALLOYS
	(Ga,Mn,As) compounds grown on semi-insulating GaAs with mass-analyzed low energy dual ion beam depositionw 期刊论文 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 359-363 Yang JL; Chen NF; Liu ZK; Yang SY; Chai CL; Liao MY; He HJ 收藏 \| 浏览/下载：79/6 \| 提交时间：2010/08/12 X-ray diffraction ion beam epitaxy gallium arsenide FILMS FE

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