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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks 期刊论文 applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908 Zheng XH (Zheng X. H.); Huang AP (Huang A. P.); Xiao ZS (Xiao Z. S.); Yang ZC (Yang Z. C.); Wang M (Wang M.); Zhang XW (Zhang X. W.); Wang WW (Wang W. W.); Chu PK (Chu Paul K.) 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/14 OXYGEN  GATE  DIFFUSION  FILMS   Magnetic properties of silicon doped with gadolinium 期刊论文 applied physics a-materials science & processing, 2003, 卷号: 77, 期号: 3-4, 页码: 599-602 Zhou JP; Chen NF; Song SL; Chai CL; Yang SY; Liu ZK; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：322/10  |  提交时间：2010/08/12 METAL-INSULATOR-TRANSITION  BEAM EPITAXY TECHNIQUE  SEMICONDUCTING SILICIDES  INDUCED FERROMAGNETISM  FILMS  MAGNETORESISTANCE  TEMPERATURE  ALLOYS   Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 会议论文 international conference on material for advanced technologies, singapore, singapore, jul 01-06, 2001 Deng X; Wang W; Han S; Povolny H; Du W; Liao X; Xiang X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 Crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth 期刊论文 science in china series a-mathematics physics astronomy, 2002, 卷号: 45, 期号: 11, 页码: 1461-1467 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  epitaxial lateral overgrowth  crystallographic tilt  double crystal X-ray diffraction  FILMS  DEFECTS  GAAS   Magnetic property and interlayer segregation in spin valve metal multilayers 期刊论文 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 140-145 Yu GH; Li MH; Zhu FW; Chai CL; Jiang HW; Lai WY 收藏  |  浏览/下载：125/19  |  提交时间：2010/08/12 NiFe/FeMn  NiFe/Cu/NiFe/FeMn  interlayer segregation  exchange coupling field H-ex  X-ray photoelectron spectroscopy( XPS)  UNIDIRECTIONAL ANISOTROPY  EXCHANGE BIAS  FILMS  BILAYERS  LAYERS  DEPENDENCE  INTERFACES  FIELD  MODEL   Raman scattering and infrared absorption of silicon nanocrystals in silicon oxide matrix 会议论文 4th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, may 08-11, 2000 Ma ZX; Liao XB; Zheng WM; Yu J; Chu JH 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/10/29 nanocrystalline silicon  Raman scattering  infrared absorption  phonon confinement  MICROCRYSTALLINE SILICON  POLYCRYSTALLINE SILICON  FILMS   Initial stages of GaN/GaAs (100) growth by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 journal of electronic materials, 2000, 卷号: 29, 期号: 2, 页码: 177-182 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 cubic GaN  hexagonal GaN  buffer layer  AFM  RHEED  CUBIC GAN  FILMS  GAAS  DEPENDENCE  NITRIDE  LAYERS   A surface kinetics model for the growth of Si1-xGex by UHV/CVD using SiH4/CeH4 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 245-249 Yu Z; Li DZ; Cheng BW; Huang CJ; Lei ZL; Yu JZ; Wang QM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si  epitaxial growth  surface reaction kinetics  UHV/CVD system  CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION  ATOMIC-HYDROGEN  ADSORPTION  SI(100)  SI2H6  SIH4  MECHANISMS  DESORPTION  PHASE  FILMS