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科研机构
半导体研究所 [18]
内容类型
期刊论文 [13]
会议论文 [5]
发表日期
2008 [1]
2006 [2]
2005 [2]
2004 [3]
2002 [4]
2001 [5]
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学科主题
半导体材料 [18]
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学科主题:半导体材料
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Optimizing the GaAs capping layer growth of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum dots by a combined two-temperature and annealing process at low temperatures
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5469-5472
作者:
Yang T
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浏览/下载:253/54
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提交时间:2010/03/08
Metalorganic chemical vapor deposition
Quantum dots
InAs
GaAs
Laser diodes
Silicon thin films prepared in the transition region and their use in solar cells
会议论文
14th international photovoltaic science and engineering conference, bangkok, thailand, jan 27-feb 01, 2004
Zhang S
;
Liao X
;
Raniero L
;
Fortunato E
;
Xu Y
;
Kong G
;
Aguas H
;
Ferreira I
;
Martins R
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浏览/下载:155/25
  |  
提交时间:2010/03/29
silicon
Molecular beam epitaxy InAs dot arrays on InGaAs/GaAs
期刊论文
nanotechnology, 2006, 卷号: 17, 期号: 23, 页码: 5846-5850
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Ren YY (Ren Y. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
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  |  
浏览/下载:107/0
  |  
提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
QUANTUM-DOTS
SELF-ORGANIZATION
ISLANDS
NANOSTRUCTURES
SUPERLATTICES
GROWTH
SURFACE
GAAS(100)
Growth and characterization of 0.8-mu m gate length AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrates
期刊论文
science in china series f-information sciences, 2005, 卷号: 48, 期号: 6, 页码: 808-814
Wang XL
;
Wang CM
;
Hu GX
;
Wang JX
;
Ran JX
;
Fang CB
;
Li JP
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Liu XY
;
Liu J
;
Qian H
收藏
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浏览/下载:326/7
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提交时间:2010/04/11
HEMT
GaN
MOCVD
power device
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
SURFACE PASSIVATION
Time dependence of wet oxidized AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflectors
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 2137-2140
作者:
Xu B
;
Jin P
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浏览/下载:143/18
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提交时间:2010/03/17
SURFACE-EMITTING LASERS
Characterization of polymorphous silicon thin film and solar cells
会议论文
2nd international materials symposium, caparica, portugal, apr 14-16, 2003
Zhang S
;
Xu Y
;
Liao X
;
Martins R
;
Fortunato E
;
Hu Z
;
Kong G
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浏览/下载:26/1
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提交时间:2010/10/29
polymorphous silicon
thin film
solar cell
Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Hao, HY
;
Zhang, SB
;
Xu, YY
;
Zeng, XB
;
Diao, HW
;
Kong, GL
;
Liao, XB
收藏
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浏览/下载:217/78
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提交时间:2010/03/29
OPEN-CIRCUIT VOLTAGE
SILICON SOLAR-CELLS
AMORPHOUS-SILICON
ABSORPTION
Characterization of polymorphous silicon thin film and solar cells
期刊论文
advanced materials forum ii, 2004, 卷号: 455-456, 期号: 0, 页码: 77-80
Zhang, S
;
Xu, Y
;
Liao, X
;
Martins, R
;
Fortunato, E
;
Hu, Z
;
Kong, G
收藏
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浏览/下载:140/36
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提交时间:2010/03/09
polymorphous silicon
thin film
solar cell
Characterization of diphasic nc-Si/a-Si : H thin films and solar cells
会议论文
29th ieee photovoltaic specialists conference, new orleans, la, may 19-24, 2002
Zhang SB
;
Xu YY
;
Hu ZH
;
Wang YQ
;
Zeng XB
;
Diao HW
;
Wang WJ
;
Kong GL
;
Liao XB
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浏览/下载:25/7
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提交时间:2010/10/29
SILICON
RAMAN
Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308
作者:
Xu B
;
Li CM
;
Jin P
;
Ye XL
;
Li DB
收藏
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浏览/下载:98/0
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提交时间:2010/08/12
atomic force microscopy
low dimensional structures
nanostructures
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
laser diodes
TEMPERATURE-DEPENDENCE
THRESHOLD CURRENT
MU-M
LASERS
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