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科研机构
半导体研究所 [51]
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期刊论文 [43]
会议论文 [8]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
2009 [1]
2008 [3]
2007 [4]
2006 [4]
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学科主题
半导体材料 [51]
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共51条,第1-10条
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学科主题:半导体材料
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:121/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
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浏览/下载:148/33
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提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Preparation and Optical Performance of Freestanding GaN Thick Films
期刊论文
rare metal materials and engineering, 2010, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 2169-2172
作者:
Wei TB
;
Yang JK
;
Duan RF
收藏
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浏览/下载:59/10
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提交时间:2011/07/05
GaN
HVPE
freestanding thick films
stress release
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
GROWTH
PRESSURE
HVPE
Growth of nonpolar a-plane GaN on nano-patterned r-plane sapphire substrates
期刊论文
applied surface science, 2009, 卷号: 255, 期号: 6, 页码: 3664-3668
Gao HY
;
Yan FW
;
Zhang Y
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Wang JX
收藏
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浏览/下载:165/24
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提交时间:2010/03/08
GaN
Nonpolar
MOCVD
Nano-patterned
Effects of disk rotation rate on the growth of ZnO films by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2008, 卷号: 516, 期号: 6, 页码: 925-928
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Cong, GW
;
Hu, WG
;
Fan, HB
;
Wu, JJ
;
Zhu, QS
;
Liu, XL
收藏
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浏览/下载:32/3
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提交时间:2010/03/08
X-ray diffraction
metal-organic chemical vapor deposition
zinc oxide
structural properties
Influence of different interlayers on growth mode and properties of InN by MOVPE
期刊论文
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 238-241
Zhang, RQ
;
Liu, XL
;
Kang, TT
;
Hu, WG
;
Yang, SY
;
Jiao, CM
;
Zhu, QS
收藏
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浏览/下载:52/3
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提交时间:2010/03/08
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
Strain status in ZnO film on sapphire substrate with a GaN buffer layer grown by metal-source vapor phase epitaxy
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1542-1544
Cui JP
;
Duan Y
;
Wang XF
;
Zeng YP
收藏
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浏览/下载:222/122
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提交时间:2010/03/08
ZnO film
Strain status
GaN buffer layer
Sapphire
MVPE
Characteristics of high Al content AlxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
microelectronics journal, 2007, 卷号: 38, 期号: 8-9, 页码: 838-841
Wang XY (Wang, Xiaoyan)
;
Wang XL (Wang, Xiaoliang)
;
Hu GX (Hu, Guoxin)
;
Wang BZ (Wang, Baozhu)
;
Ma ZY (Ma, Zhiyong)
;
Xiao HL (Xiao, Hongling)
;
Wang CM (Wang, Cuimei)
;
Ran JX (Ran, Junxue)
;
Li JP (Li, Jianping)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/29
AlxGa1-xN
InAs0.3Sb0.7 films grown on (100) GaSb substrates with a buffer layer by liquid-phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2007, 卷号: 304, 期号: 2, 页码: 472-475
Gao FB (Gao Fubao)
;
Chen NF (Chen NuoFu)
;
Liu L (Liu Lei)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wu JL (Wu Jinliang)
;
Yin ZG (Yin Zhigang)
收藏
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浏览/下载:37/0
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提交时间:2010/03/29
crystal structure
Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
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