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科研机构
半导体研究所 [10]
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期刊论文 [9]
会议论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2006 [1]
2004 [2]
2001 [2]
1998 [1]
1997 [1]
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学科主题
半导体材料 [10]
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学科主题:半导体材料
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Ultrabroad Band Rainbow Capture and Releasing in Graded Chemical Potential Distributed Graphene Monolayer
期刊论文
plasmonics, 2015, 卷号: 10, 期号: 5, 页码: 1023-1028
Weibin Qiu
;
Xianhe Liu
;
Jing Zhao
;
Yixin Huang
;
Houbo Chen
;
Bin Li
;
JiaXian Wang
;
Qiang Kan
;
JiaoQing Pan
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2016/03/23
MBE InAs quantum dots grown on metamorphic InGaAs for long wavelength emitting
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 35, 期号: 1, 页码: 194-198
Jiao YH (Jiao Y. H.)
;
Wu J (Wu J.)
;
Xu B (Xu B.)
;
Jin P (Jin P.)
;
Hu LJ (Hu L. J.)
;
Liang LY (Liang L. Y.)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/04/11
metamorphic
long wavelength
quantum dots
molecular beam epitaxy
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
1.3 MU-M
GAAS
EMISSION
RANGE
ISLANDS
ARRAYS
LASERS
Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes
期刊论文
journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:89/0
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提交时间:2010/03/17
4H-SiC
Graded tensile-strained bulk InGaAs/InP superluminescent diode with very wide emission spectrum
期刊论文
chinese optics letters, 2004, 卷号: 2, 期号: 6, 页码: 359-361
作者:
Wang Wei
;
Wang Wei
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
  |  
浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY
High-quality metamorphic HEMT grown on GaAs substrates by MBE
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 210-213
Zeng YP
;
Cao X
;
Cui LJ
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
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浏览/下载:118/19
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提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
high electron mobility transistors
DENSITY
Threshold reduction in strained-layer InGaAs/GaAs quantum well lasers by liquid phase epitaxy regrowth
期刊论文
journal of crystal growth, 1998, 卷号: 194, 期号: 1, 页码: 25-30
Lu LW
;
Zhang YH
;
Yang GW
;
Wang J
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
InGaAs/GaAs quantum wells
DLTS measurements
nonradiative centers
THICKNESS
808 nm high-power laser grown by MBE through the control of Be diffusion and use of superlattice
期刊论文
journal of crystal growth, 1997, 卷号: 175, 期号: 0, 页码: 1004-1008
Zhu DH
;
Wang ZG
;
Liang JB
;
Xu B
;
Zhu ZP
;
Zhang J
;
Gong Q
;
Li SY
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/17
high-power
semiconductor laser
MBE
quantum well
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
QUANTUM-WELL LASERS
BERYLLIUM
DIODES
MIGRATION
OPERATION
MIRRORS
Deep centers in AlGaAs/GaAs GRIN-SCH SQW laser structures grown by MBE and MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 169, 期号: 4, 页码: 643-648
Lu LW
;
Feng SL
;
Xu JY
;
Yang H
;
Wang ZG
;
Wang J
;
Wang Y
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/11/17
ALXGA1-XAS
EPITAXY
TRAPS
Structure and device characteristics of AlxGa1-xAs/GaAs solar cells
期刊论文
journal of crystal growth, 1996, 卷号: 162, 期号: 0, 页码: 43-47
Li B
;
Xiang XB
;
You ZP
;
Xu Y
;
Fei XY
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/17
REGROWTH
LAYERS
SURFACE
GAAS
AL
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