×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [62]
内容类型
期刊论文 [54]
会议论文 [8]
发表日期
2014 [1]
2011 [1]
2010 [2]
2009 [4]
2008 [4]
2007 [3]
更多...
学科主题
半导体材料 [62]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共62条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Effects of interface roughness on photoluminescence full width at half maximum in GaN/AlGaN quantum wells
期刊论文
chinese physics b, 2014, 卷号: 23, 期号: 11, 页码: 117803
Wang Wei-Ying
;
Liu Gui-Peng
;
Jin Peng
;
Mao De-Feng
;
Li Wei
;
Wang Zhan-Guo
;
Tian Wu
;
Chen Chang-Qing
收藏
  |  
浏览/下载:23/0
  |  
提交时间:2015/03/20
MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
收藏
  |  
浏览/下载:121/2
  |  
提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Interplay effects of temperature and injection power on photoluminescence of InAs/GaAs quantum dot with high and low areal density
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 48, 页码: art. no. 485102
Zhou XL (Zhou X. L.)
;
Chen YH (Chen Y. H.)
;
Jia CH (Jia C. H.)
;
Ye XL (Ye X. L.)
;
Xu B (Xu Bo)
;
Wang ZG (Wang Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/12/12
DEPENDENCE
SPECTRA
Substrate temperature dependence of ZnTe epilayers grown on GaAs(001) by molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2010, 卷号: 312, 期号: 9, 页码: 1491-1495
Zhao J (Zhao Jie)
;
Zeng YP (Zeng Yiping)
;
Liu C (Liu Chao)
;
Li YB (Li Yanbo)
收藏
  |  
浏览/下载:148/33
  |  
提交时间:2010/06/04
Reflection high-energy electron diffraction
Atomic force microscopy
Molecular beam epitaxy
Zinc compounds
Semiconducting II-VI materials
Epitaxial Growth of AlInGaN Quaternary Alloys by RF-MBE
期刊论文
journal of inorganic materials, 2009, 卷号: 24, 期号: 3, 页码: 559-562
Wang BZ
;
Wang XL
收藏
  |  
浏览/下载:53/0
  |  
提交时间:2010/03/08
AlInGaN
RF-MBE
structural properties
optical properties
Wet etching and infrared absorption of AlN bulk single crystals
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 7, 页码: 27-30
作者:
Ke Jianhong
收藏
  |  
浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Influence of a tilted cavity on quantum-dot optoelectronic active devices
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 37-40
作者:
Xu Bo
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2010/11/23
Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer
期刊论文
materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237
作者:
Zhao J
收藏
  |  
浏览/下载:47/4
  |  
提交时间:2011/07/05
ZnO
Pulsed laser deposition
X-ray diffraction
Photoluminescence
Reflection high-energy electron diffraction
PULSED-LASER DEPOSITION
THIN-FILMS
PLD TECHNIQUE
GROWTH
SAPPHIRE
TEMPERATURE
Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111
Luo, WJ
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Ran, JX
;
Guo, LC
;
Li, JP
;
Liu, HX
;
Chen, YL
;
Yang, FH
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
Si (111)
Effects of disk rotation rate on the growth of ZnO films by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 2008, 卷号: 516, 期号: 6, 页码: 925-928
Zhang, PF
;
Wei, HY
;
Cong, GW
;
Hu, WG
;
Fan, HB
;
Wu, JJ
;
Zhu, QS
;
Liu, XL
收藏
  |  
浏览/下载:32/3
  |  
提交时间:2010/03/08
X-ray diffraction
metal-organic chemical vapor deposition
zinc oxide
structural properties
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace