×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [35]
内容类型
期刊论文 [32]
会议论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2013 [2]
2012 [1]
2010 [3]
2009 [5]
2008 [2]
2005 [1]
更多...
学科主题
半导体材料 [35]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共35条,第1-10条
帮助
限定条件
学科主题:半导体材料
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Numerical analysis on quantum dots-in-a-well structures by finite difference method
期刊论文
superlattices and microstructures, 2013, 卷号: 60, 页码: 311-319
Gong, Liang
;
Shu, Yong-chun
;
Xu, Jing-jun
;
Zhu, Qin-sheng
;
Wang, Zhan-guo
收藏
  |  
浏览/下载:8/0
  |  
提交时间:2014/03/26
The fabrication of 10-channel DFB laser array by SAG technology
期刊论文
optics communications, 2013, 卷号: 311, 页码: 6-10
Zhang, Can
;
Liang, Song
;
Zhu, Hongliang
;
Han, Liangshun
;
Lu, Dan
;
Ji, Chen
;
Zhao, Lingjuan
;
Wang, Wei
收藏
  |  
浏览/下载:11/0
  |  
提交时间:2014/03/19
All-optical clock recovery using parallel ridge-width varied DFB lasers integrated with Y-branch waveguide coupler
期刊论文
optics communications, 2012, 卷号: 285, 期号: 3, 页码: 311-314
Kong, DH
;
Zhu, HL
;
Liang, S
;
Yu, WK
;
Lou, CY
;
Zhao, LJ
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2013/03/17
In-plane stray field induced spin-filtering in a two-dimensional electron gas under the modulation of surface ferromagnetic dual-gate
期刊论文
journal of applied physics, 2010, 卷号: 108, 期号: 7, 页码: art. no. 073703
Wang Y (Wang Y.)
;
Jiang Y (Jiang Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Yin ZG (Yin Z. G.)
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2010/11/14
BARRIER STRUCTURE
MAGNETIC-FIELD
POLARIZATION
CONDUCTANCE
DEVICE
InGaN基发光二极管的反常特性研究
学位论文
博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者:
丁凯
收藏
  |  
浏览/下载:351/144
  |  
提交时间:2010/06/02
Different growth mechanisms of bimodal In As/GaAs QDs
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2010, 卷号: 43, 期号: 1, 页码: 308-311
作者:
Ye XL
;
Zhou XL
收藏
  |  
浏览/下载:42/3
  |  
提交时间:2011/07/05
INAS QUANTUM DOTS
GAAS(001)
RELAXATION
TRANSITION
GAAS
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
收藏
  |  
浏览/下载:85/6
  |  
提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
Annealing behaviors of long-wavelength InAs/GaAs quantum dots with different growth procedures by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 8, 页码: 2281-2284
作者:
Ye XL
;
Liang S
收藏
  |  
浏览/下载:33/4
  |  
提交时间:2010/03/08
Photoluminescence
Metalorganic vapor phase epitaxy
Self-assembled quantum dots
Indium arsenide
Growth behavior of AlInGaN films
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 3, 页码: 474-477
Shang JZ
;
Zhang BP
;
Mao MH
;
Cai LE
;
Zhang JY
;
Fang ZL
;
Liu BL
;
Yu JZ
;
Wang QM
;
Kusakabe K
;
Ohkawa K
收藏
  |  
浏览/下载:219/66
  |  
提交时间:2010/03/08
Scanning electron microscope
Strain
X-ray diffraction
AlInGaN
Growth and characterization of GaInNAs by molecular beam epitaxy using a nitrogen irradiation method
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 7, 页码: 1723-1727
Zhao H
;
Wang SM
;
Zhao QX
;
Sadeghi M
;
Larsson A
收藏
  |  
浏览/下载:182/35
  |  
提交时间:2010/03/08
Quantum well
Dilute nitride
Rapid thermal annealing
InGaAs
GaInNAs
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace